ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
Облучение поверхности электронами вызывает эмиссию всех
четырех видов частиц, однако наиболее часто анализируются электроны,
что обусловлено сравнительной простотой их регистрации. Для получения
информации о поверхности регистрируют энергию и поверхностное
распределение упруго- и неупругоотраженных первичных электронов
зонда или регистрируют вторичные электроны и оже-электроны.
Растровая электронная микроскопия является одним из наиболее
распространенных методов диагностики поверхности. Это метод
исследования поверхности образца, использующий энергетическое и
пространственное распределение электронов, эмитированных из его
приповерхностного слоя под воздействием остросфокусированного луча -
зонда. В электронном микроскопе изображение поверхности во вторичных
электронах создается благодаря развертке сфокусированного пучка
электронов по поверхности исследуемого образца.
Основными задачами просвечивающей
РЭМ являются:
- анализ элементарных дефектов кристаллического строения
(дислокаций, дислокационных петель, дефектов упаковки), а также
сложных дефектов и дефектов объемного характера (двойники, границы
зерен и т .д.);
- анализ в гетерогенных сплавах частиц и различных включений, в
том числе выделяющихся в материалах, подвергнутых, например,
старению, облучению, отжигу.
Электронная оже-спектороскопия – один из наиболее
перспективных методов анализа химического состава поверхностей
твердых тел. Сочетая на одном приборе РЭМ и ЭОС, можно получать
информацию как о структуре, так и о химическом составе материала с
очень высокой локальностью по глубине.
Оже-эффект был открыт в 1925г. Пьером Оже. Он связан с
ионизацией атома вследствие
соударения первичного электрона с
электроном на одной из внутренних оболочек атома (К, L, M...), на которой
возникает вакансия. В результате этого происходит оже-переход с выходом
оже-электрона в вакуум, где он регистрируется с помощью электронного
спектрометра.
Так как величина энергии оже-электрона, определяемая
внутриатомными процессами (а оже-переходы осуществляются между
строго
определенными энергетическими уровнями), непосредственно
связана со значениями энергий связей электрона на оболочках атома, то она
характеризует его атомный номер Z. Следовательно, регистрируя значения
энергий оже-электронов, эмитируемых атомами при их возбуждении, и
сравнивая эти значения с табличными, возможно определение Z, т.е
Облучение поверхности электронами вызывает эмиссию всех
четырех видов частиц, однако наиболее часто анализируются электроны,
что обусловлено сравнительной простотой их регистрации. Для получения
информации о поверхности регистрируют энергию и поверхностное
распределение упруго- и неупругоотраженных первичных электронов
зонда или регистрируют вторичные электроны и оже-электроны.
Растровая электронная микроскопия является одним из наиболее
распространенных методов диагностики поверхности. Это метод
исследования поверхности образца, использующий энергетическое и
пространственное распределение электронов, эмитированных из его
приповерхностного слоя под воздействием остросфокусированного луча -
зонда. В электронном микроскопе изображение поверхности во вторичных
электронах создается благодаря развертке сфокусированного пучка
электронов по поверхности исследуемого образца.
Основными задачами просвечивающей РЭМ являются:
- анализ элементарных дефектов кристаллического строения
(дислокаций, дислокационных петель, дефектов упаковки), а также
сложных дефектов и дефектов объемного характера (двойники, границы
зерен и т .д.);
- анализ в гетерогенных сплавах частиц и различных включений, в
том числе выделяющихся в материалах, подвергнутых, например,
старению, облучению, отжигу.
Электронная оже-спектороскопия – один из наиболее
перспективных методов анализа химического состава поверхностей
твердых тел. Сочетая на одном приборе РЭМ и ЭОС, можно получать
информацию как о структуре, так и о химическом составе материала с
очень высокой локальностью по глубине.
Оже-эффект был открыт в 1925г. Пьером Оже. Он связан с
ионизацией атома вследствие соударения первичного электрона с
электроном на одной из внутренних оболочек атома (К, L, M...), на которой
возникает вакансия. В результате этого происходит оже-переход с выходом
оже-электрона в вакуум, где он регистрируется с помощью электронного
спектрометра.
Так как величина энергии оже-электрона, определяемая
внутриатомными процессами (а оже-переходы осуществляются между
строго определенными энергетическими уровнями), непосредственно
связана со значениями энергий связей электрона на оболочках атома, то она
характеризует его атомный номер Z. Следовательно, регистрируя значения
энергий оже-электронов, эмитируемых атомами при их возбуждении, и
сравнивая эти значения с табличными, возможно определение Z, т.е
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 125
- 126
- 127
- 128
- 129
- …
- следующая ›
- последняя »
