Исследование туннельного диода при помощи распределения Ферми-Дирака. Иванов К.Н - 1 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВСГУТУ | Улан-Удэ

Составители: 

Рубрика: 

Исследование туннельного диода при помощи распределе-
ния Ферми-Дирака.
Методическое указание к лабораторной работе для студен-
тов дневного и заочного обучения
Составители: Иванов К.Н., Чагдурова Е.С.
Лабораторная работа для студентов дневного и заочного
обучения инженерно-технических и технологических спе-
циальностей по «Статистической физике»
Ключевые слова: диод, потенциальный барьер, туннельный
эффект, р-n переход, распределение Ферми-Дирака, ВАХ
туннельного диода.
Редактор Т.Ю. Артюнина
Подписано в печать 29.06.2004 г. Формат 60 × 84 1/16
Усл..п.л. 0,93, уч.-изд.л. 0,7. Печать операт., бум. писч.
Тираж____. Заказ № 90
_______________________________________________
Издательство ВСГТУ, Улан-Удэ, ул. Ключевская, 40, в.
ВСГТУ, 2004 г.
Министерство образования и науки Российской Федерации
Восточно-Сибирский государственный
технологический университет
ФИЗИКА
Методическое указание к лабораторной работе
Исследование туннельного диода при помощи
распределения Ферми-Дирака
Составители: Иванов К.Н
Чагдурова Е.С.
Издательство ВСГТУ
Улан-Удэ, 2004 
Исследование туннельного диода при помощи распределе-        Министерство образования и науки Российской Федерации
ния Ферми-Дирака.
                                                                      Восточно-Сибирский государственный
                                                                          технологический университет

Методическое указание к лабораторной работе для студен-
тов дневного и заочного обучения

Составители: Иванов К.Н., Чагдурова Е.С.
                                                                                   ФИЗИКА

Лабораторная работа для студентов дневного и заочного             Методическое указание к лабораторной работе
обучения инженерно-технических и технологических спе-
циальностей по «Статистической физике»                           Исследование туннельного диода при помощи
                                                                        распределения Ферми-Дирака
Ключевые слова: диод, потенциальный барьер, туннельный
эффект, р-n переход, распределение Ферми-Дирака, ВАХ
туннельного диода.


                                                                                        Составители: Иванов К.Н
                                                                                                    Чагдурова Е.С.




Редактор Т.Ю. Артюнина

Подписано в печать 29.06.2004 г. Формат 60 × 84 1/16
Усл..п.л. 0,93, уч.-изд.л. 0,7. Печать операт., бум. писч.
Тираж____. Заказ № 90
_______________________________________________
Издательство ВСГТУ, Улан-Удэ, ул. Ключевская, 40, в.                         Издательство ВСГТУ
 ВСГТУ, 2004 г.                                                               Улан-Удэ, 2004

Страницы