В схеме (рис. 3.45) э.д.с. источников E1=1,5 В, E2=2,0 В, E3=2,5 В и сопротивления R1=10 Ом, R2=20 Ом, R3=30 Ом. Внутренние сопротивления источников пренебрежимо малы. Найти:а) ток через сопротивление R1,б) разность потенциалов фA — фВ между точками А и В.
Найти э.д.с. и внутреннее сопротивление источника, эквивалентного двум параллельно соединенным элементам с э.д.с. E1 и E2 и внутренними сопротивлениями R1 и R2.
Найти разность потенциалов фA—фB между обкладками конденсатора С схемы (рис. 3.47), если э.д.с. источников E1=4,0 В, E2=1,0 В и сопротивления R1=10 Ом, R2=20 Ом, R3=30 Ом. Внутренние сопротивления источников пренебрежимо малы.