ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
УДК 621. 315.416
Абрамов В.Б., Карпанин О.В., Медведев С.П., Метальников А.М, Печер-
ская Р.М. Исследование свойств полупроводников методом вольт-фарадных
характеристик.
Указания подготовлены на кафедре микроэлектроники и предназначены для
студентов специальностей 200100, 220500, 230300, 190700 при изучении дисцип-
лин “Материалы электронной техники и основы микроэлектроники”, “Твердо-
тельная электроника”, “Радиоматериалы и радиодетали
”, “Измерения и контроль в
микроэлектронике” при выполнении УИРС, курсового и дипломного проектиро-
вания.
© Кафедра микроэлектроники Пензенского государственного университета
11. Влияет ли контактная разность потенциалов в МДП-структуре на определе-
ние профиля концентрации легирующей примеси вольт-фарадным методом?
12. Что является причиной возникновения поверхностных ловушек?
13. В какой энергетической зоне находятся поверхностные ловушки?
14. В чем существенное отличие равновесного от неравновесного метода опре-
деления спектра плотности поверхностных ловушек?
15. Какой
частотный диапазон тест-сигнала необходим для реализации неравно-
весных методов при комнатной температуре?
16. Какие элементы электрической модели МДП-структуры влияют на опреде-
ление спектра плотности поверхностных ловушек при использовании ВЧ-
метода?
17. Какой элемент электрической модели МДП-структуры является информа-
тивным при определении спектра плотности поверхностных ловушек ВЧ-
методом?
18. В чем существенное отличие метода проводимости от ВЧ-метода определе-
ния спектра плотности поверхностных ловушек?
19. Что наиболее существенно влияет на трансформацию погрешности при ис-
пользовании ВЧ-метода определения спектра плотности поверхностных ло-
вушек?
20. Может ли через диэлектрик МДП-структуры протекать постоянный ток?
Возможна ли инжекция носителей заряда в
диэлектрик МДП-структуры? Ка-
кие существуют механизмы инжекции носителей заряда в диэлектрик МДП-
структуры?
Литература
1. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. В 2 кн. – М.: Мир, 1984.
2. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы: Учебник для
вузов. – М.: Высш. шк., 1987.
3. Медведев С.П. Физика полупроводниковых и микроэлектронных прибо
р
ов
(биполярные приборы): Учеб. пос. – Пенза, 1996.
4. Малер Р., Кейминс Т. Элементы интегральных схем. – М.: Мир, 1989.
43
11. Влияет ли контактная разность потенциалов в МДП-структуре на определе-
ние профиля концентрации легирующей примеси вольт-фарадным методом?
12. Что является причиной возникновения поверхностных ловушек?
УДК 621. 315.416 13. В какой энергетической зоне находятся поверхностные ловушки?
14. В чем существенное отличие равновесного от неравновесного метода опре-
деления спектра плотности поверхностных ловушек?
15. Какой частотный диапазон тест-сигнала необходим для реализации неравно-
весных методов при комнатной температуре?
Абрамов В.Б., Карпанин О.В., Медведев С.П., Метальников А.М, Печер- 16. Какие элементы электрической модели МДП-структуры влияют на опреде-
ская Р.М. Исследование свойств полупроводников методом вольт-фарадных ление спектра плотности поверхностных ловушек при использовании ВЧ-
характеристик. метода?
Указания подготовлены на кафедре микроэлектроники и предназначены для 17. Какой элемент электрической модели МДП-структуры является информа-
студентов специальностей 200100, 220500, 230300, 190700 при изучении дисцип- тивным при определении спектра плотности поверхностных ловушек ВЧ-
лин “Материалы электронной техники и основы микроэлектроники”, “Твердо- методом?
тельная электроника”, “Радиоматериалы и радиодетали”, “Измерения и контроль в 18. В чем существенное отличие метода проводимости от ВЧ-метода определе-
микроэлектронике” при выполнении УИРС, курсового и дипломного проектиро- ния спектра плотности поверхностных ловушек?
вания. 19. Что наиболее существенно влияет на трансформацию погрешности при ис-
пользовании ВЧ-метода определения спектра плотности поверхностных ло-
вушек?
20. Может ли через диэлектрик МДП-структуры протекать постоянный ток?
Возможна ли инжекция носителей заряда в диэлектрик МДП-структуры? Ка-
кие существуют механизмы инжекции носителей заряда в диэлектрик МДП-
структуры?
Литература
1. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. В 2 кн. – М.: Мир, 1984.
2. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы: Учебник для
вузов. – М.: Высш. шк., 1987.
3. Медведев С.П. Физика полупроводниковых и микроэлектронных приборов
(биполярные приборы): Учеб. пос. – Пенза, 1996.
4. Малер Р., Кейминс Т. Элементы интегральных схем. – М.: Мир, 1989.
© Кафедра микроэлектроники Пензенского государственного университета
43
