Курсовое проектирование каскадов главного тракта приёма радиосигналов. Афанасьев Г.Ф. - 116 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

115
Рис. 7.12. Типовая схема детектора отношений.
Исходные данные
Исходные данные
f
0
= 8,4МГ; ∆f
макс
= 75
кГц
;
F
B
=
10
кГц
;
L
1
= L
2
= 2
мкГн;
параметры транзистора
Т
1
:
С
вых
= 10
пФ; R
BЫX
= 800 О
м;
| Y
21
| = 30
мА/В
параметры диода Д2Е: S
d
= 5
мА/В С
д
=
1
пФ;
параметры УНЧ:
R
BX
УНЧ
= 10
кОм;
С
ВХ
УНЧ
= 3000
пФ.
Порядок расчета
1. Задаемся величинами (см. рис. 7.12):
Q
K
= 150;
Q
Э
=
60;
Q
3
= 50;
R
1
= R
2
=
R
ПT
= 6,2
кОм
; R
5
= 10 кОм R
3
= R
4
=R
ВХ
УНЧ
=10
кОм;
U
1
=
100 мВ C
M
= 5 пФ; τ
п
= 75 мксек.
2. Определяем индуктивность катушки
L
3
:
L
3
= 0,4* L
1
= 0,4*2 = 0,8
мкГн
.
3. Находим конструктивные коэффициенты связи между индуктивностями
L
1
и
L
2
,
а также L
1
и L
3
:
.008.0
50
4.04,0
,0083.0
60
5.05.0
3
13
12
===
===
Q
k
Q
k
св
э
св
4. Вычисляем собственное резонансное сопротивление первичного контура:
кОм
QLfR
КК
5,15150102104,822
66
10
=⋅⋅⋅⋅⋅==
−
ππ
.
5. Рассчитываем коэффициент включения первичного контура
в коллекторную цепь транзистора Т
1
:
28.0)1
60
150
(
5.15
8.0
)1( =−=−=
э
К
К
вых
вк
Q
Q
R
R
m
.
6. Находим емкости конденсаторов контуров:
;17551028,0
24,8
1053.21053,2
2
2
4
2
1
2
0
4
1
пФС
Cm
Lf
С
Мвыхвкк
=−⋅−
⋅
⋅
=−−
⋅
=

Страницы