ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
139
Приложение 5
Таблица П.5.1
Y-параметры транзисторов, измеренные на частоте 465 кГц
Тран
-
зи
-
с
-
торы
f
ГР
,
МГц
0,3
f
Y21
,
МГц
|Y
21Э
|,
мА/В
g
11
,
мСм
C
11
,
пФ
g
22
,
мкСм
C
22
,
пФ
C
12
,
пФ
g
12
,
мкСм
h
21Э
N
Ш
,
дБ
I
КБ 0
,
мкА
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
ГТ
30
9
А
120
27
25-32
30
0,5-2
1
30-90
70
3-30
6
4-12
8
1,8-3,8
2
—
20-70
50
≤
10
5
≤
5
2
ГТ
30
9
Б
120
27
25-32
30
1,25-
0,4
0,6
20-90
50
3-30
6
4-10
8
18-28 2
—
60-I80
100
≤
10
4
≤
5
2
ГТ
31
0
А
160
24
26-32
30
1-0,2
0,6
20
-100
70
2-6
5
3-10
8
2-2,9
2,3
—
20-70
50
≤
10
3
≤
5
1,5
ГГ
31
0
Б
160
24
26-32
30
0,5 21 40 13
3,95 3
60-
180
120
≤
10
3
≤
5
1,.5
Примечание
. 1.
Параметры
транзисторов
не
изменяются
до
0,3f
Y21
. 2.
Верхние
цифры
ха
-
рактеризуют
граничные
параметры
;
нижние
наиболее
вероятные
значения
.
Таблица П.5.2
Характеристики полупроводниковых диодов
Тип
дио
-
да
U
пр
,
В
I
пр
,
мА
R
i
,
Ом
U
обр max
,
В
I
обр
,
мкА
R
обр
,
МОм
Сд
,
пФ
f
max, МГц
не
более
Д
2
Б
0,9
5,5
160
40
100
0,1
1
150
Д
2
В
0,9
8
120
30
250
0,12
1
150
Д
9
Б
0,9
90
10
10
250
0,4
1
-
2
40
Д
10
Б
0,9
20
45
10
100
0,1
<1
150
Таблица П.5.3
Параметры полевых транзисторов
Режим
измерения
Тип
транзистора
g
22и
,
мСм
S,
мА
/
В
С
11и
,
пФ
С
22и
,
пФ
С
12и
,
пФ
I
ЗИ О
,
мкА
U
СИ
,
В
f
C нач
,
мА
f , МГц
КП
301
А
0,15
1
3,5
3,5
0,7
0,5
15
5
10
КП
302
А
- 5
≤
20
≤
10
≤
8 1 10 3 10
КП
303 - 0,5-4,5
4,5-7 - 1,3-3 - - - -
КП
350
А
0,25
≥
6 6 6 0,07 - 10 10 10
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 139
- 140
- 141
- 142
- 143
- …
- следующая ›
- последняя »
