Курсовое проектирование каскадов главного тракта приёма радиосигналов. Афанасьев Г.Ф. - 144 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

142
Продолжение табл. П.6.1
1 2 3 4
С
к
=
С
кб
Ёмкость
коллекторного
перехода
τ
к
=
С
к
r
б
Постоянная
времени
цепи
об
-
ратной
связи
на
высокой
час
-
тоте
КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е.
Кремниевые планарно-эпитаксиальные усилительные транзисторы n-p-n
предназначены для работы в усилителях высокой, низкой и промежуточной
частоты радиоэлектронной аппаратуры широкого применения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип транзистора указывается на этикетке и корпусе в виде буквы соответст-
вующего типономинала.
Эксплуатируются при Θ
окр
-60…+100 °С.
Масса не более 0,18 г.
Рис. П.6.2.1. Общий вид транзисторов КТ315(А – И).
Таблица П.6.2
Электрические параметры и предельные значения
допустимых режимов работы транзисторов
Обозначе
-
ние
Режим
измерения
КТ
315
А
КТ
315
Б
КТ
315
В
КТ
315
Г
КТ
315
ДЕ
КТ
315
Е
1 2 3 4 5
h
21э
U
кэ
=10
В
; I
э
=1
мА
;
Θ
окр
=25
о
С
Θ
окр
=100
о
С
Θ
окр
=25
о
С
350
...
50
90...20
700
...
50
250...20
350
...
15
90...5
350
...
50
90...20
700
...
50
250...20
350
...
15
90...5
350
...
50
90...20
700
...
50
250...20
350
...
15
90...5
|h
21э
|
U
кэ
=10
В
; I
э
=5
мА
;
f=100
МГц
5
2
≥
5
2
≥
5
2
≥

Страницы