Курсовое проектирование каскадов главного тракта приёма радиосигналов. Афанасьев Г.Ф. - 159 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

157
Приложение 7
Формулы пересчёта параметров транзисторов
Способы
включения
транзисторов
Параметры
ОЭ
ОБ
ОЭ
-
ОБ
ОЭ
-
ОЭ
Входное
сопро
-
тивление
R
ВХ
11
r
Sr
r
11
11
1+
11
r
11
r
Входная
емкость
BX
C
11
C
11
2
0
1
2
C
f
f
f
S
S
S
+
+
−
π
11
C
11
C
Выходное
со
-
противление
BX
R
22
r
22
r
22
r
22
r
Выходная
ем
-
кость
BX
C
22
C
22
C
22
C
22
C
Крутизна
S
S S S
11
2
YY
S
+
Обратная
про
-
ходная
проводи
-
мость
12
Y
12
Y
12
22
12
1
Y
Y
Y +
12
22
2
12
1
Y
Y
S
Y
+
11
2
12
YY
Y
+
Активность
2
A
12
Y
S
12
22
12
1
Y
Y
Y
S
+
12
22
2
12
1
Y
Y
Y
S
+
2
12
Y
S
Примечания:
1.
11
r
,
22
r
,
11
C
,
22
C
– входные и выходные сопротивления и емкости, изме-
ренные в схеме ОЭ.
2.
( )
2
120
2
12
12
2
1
Cf
r
Y
π
+=
;
220
23
23
1
Cf
r
Y
ω
+=
;
110
11
11
1
Cf
r
Y
ω
+=
3.
Y
- проводимость нагрузки в цепи коллектора первого транзистора схемы
ОЭ-ОЭ.

Страницы