ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
54
вхСРПм
L
кэ
CpCCCCC
2
2..
'
1
−−−−=
. (5.2.53)
Величины
C
L
,
С
м
,
С
п
.
ср
,
С
вх
,
р
2
выбираются
или
рассчитываются
так
же
,
как
и
при
расчете
входной
цепи
с
трансформаторной
связью
с
антенной
.
Параллельная
емкость
С
1э
включенная
в
контур
,
рассчитывается
по
формуле
:
'
11
CCCC
м
L
э
++=
. (5.2.54)
Минимальная
индуктивность
контура
L
э min
определяется
по
формуле
:
2
max
min
ПД
э
э
k
L
L =
. (5.2.55)
Значения
емкостей
С
2
и
С
4
(
рис
.5.7)
рассчитываются
из
соотношений
:
=
+
=
′
.
2
2
4
42
42
1
p
C
C
CC
CC
C
(5.2.56)
Из
совместного
решения
уравнений
(5.2.56)
следует
,
что
2
2
12
1
p
p
CC
+
′
=
(5.2.57
а
)
(
)
1
214
+
′
= pCC
. (5.2.57
б
)
b.
Расчет
емкости
связи
С
св
производится
на
максимальной
частоте
поддиапазона
.
Вычисляется
значение
емкости
связи
,
обусловливающее
относительную
расстройку
входного
контура
не
более
чем
на
половину
полосы
пропускания
,
то
есть
на
величину
Qff
21
0
=∆=
β
:
1
2
2
10
minmax
3
−
≤
C
C
э
a
i
св
q
q
L
C
f
C
β
π
. (5.2.58)
В
формуле
(5.2.58)
f
-
в
МГц
,
С
а
выражается
в
пФ
,
L
э min
-
в
мкГн
.
Величина
β
=
1/(2
Q
н
),
где
значение
величины
Q
н
рассчитывается
по
формулам
(5.2.38)-
(5.2.43).
c.
Выбирается
емкость
связи
с
антенной
.
Она
должна
быть
такой
,
чтобы
расширение
полосы
пропускания
входного
устройства
за
счет
сопротивления
,
вносимого
антенной
,
произошло
не
более
чем
на
25 %,
а
уменьшение
коэффициента
передачи
напряжения
по
сравнению
с
максимальным
-
не
более
чем
на
25 %:
CC
CC
C
a
a
св
∆−
∆
=
, (5.2.59)
где
R
ээ
i
qRLf
d
C
min
3
max
4
103⋅=∆
. (5.2.60)
В
формуле
(5.2.60)
значение
f
i max
выражается
в
МГц
,
R
э
-
в
Ом
,
L
э min
-
в
мкГн
,
∆
С
-
в
пФ
.
Для
каскада
на
биполярном
транзисторе
величина
затухания
контура
,
Ом
:
НэН
GdD
ρ
==
, (5.2.61)
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 53
- 54
- 55
- 56
- 57
- …
- следующая ›
- последняя »
