ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
121
где μ
1
и μ
2
, S
1
и S
2
– динамические коэффициенты усиления по напряжению и
крутизны соответствующих транзисторов.
На рис. 74 приведены схемы каскодных АН на биполярных транзисто-
рах одинакового типа проводимости [4].Они имеют ВАХ типа кривой 2 (рис.
70). Для первой схемы
⎥
⎥
⎥
⎥
⎥
⎦
⎤
⎢
⎢
⎢
⎢
⎢
⎣
⎡
+
+
⎟
⎟
⎠
⎞
⎜
⎜
⎝
⎛
−
−=
41
3
1
2
4
3
1
32
3
1
5.0
αα
α
ααα
R
R
R
R
RRэ
,
а для второй
Rэ=-0.5R
1
(α
1
+α
2
α
3
).
Если в первой схеме все транзисторы одинаковы, R
1
=R
3
, R
2
=R
4
, то
1
2
1
RRэ
α
α
+
−=
.
При изменении α в пределах 0,95-1 коэффициент при R
1
меняется не-
значительно, поэтому схема обладает повышенной температурной и режим-
ной стабильностью отрицательного сопротивления.
Схема каскодного АН на полевых транзисторах приведена на рис. 75
(можно использовать и МДП-транзисторы со встроенным каналом). Она име-
ет ВАХ типа 2 (см рис.70). При одинаковых транзисторах R
1
=R
2
[4]
(
)
2
1
1
−
−=
μ
R
Rэ
.
Видно, что отрицательные сопротивления наблюдается только при μ >
1.
Схемы каскодных АН с токовыми отражателями приведены на рис. 76
[5]. Они имеют ВАХ типа 2 (рис. 70) и питаются от двух источников напря-
жения, обладают повышенными рабочими частотами, Rэ≈-R
1
Схема каскодного АН на основе модернизированного триггера Шмидта
представлена на рис.77 [4]. При одинаковых транзисторах, R
1
>R
2
, R2>R3,
R
4
>>R
1
(можно R
4
заменить источником тока) величиной
⎥
⎦
⎤
⎢
⎣
⎡
⎟
⎠
⎞
⎜
⎝
⎛
+−
⎟
⎠
⎞
⎜
⎝
⎛
+−=
3
2
5.01
3
2
5.111
R
R
R
R
RRэ
α
.
Особенностью схемы является заземленность клеммы б. ВАХ имеет вид
кривой 2 ( рис. 70).
Схема АН на биполярных транзисторах с гальваническими перекрест-
ными коллекторно-базовыми связями показана на рис. 78 [6]. При одинако-
вых транзисторах, R
1
=R
3
, R
2
=R
4
)12(
)12(2
12
2
1
−−
−
−=
α
α
RR
R
RRэ
.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 117
- 118
- 119
- 120
- 121
- …
- следующая ›
- последняя »
