ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
126
Аппроксимационные зависимости α μ и S подставляются в формулы
для Rэ и после простых преобразований получают формулы для полного со-
противления в виде ReRэ + jImRэ, а также выражения для ReRэ и ImRэ. Так
как ImRэ=jωLэ, то эквивалентная индуктивность в последовательной схеме
замещения с ReRэ определяется выражением
ω
RэIm
эL =
,
Теперь рассмотрим схемы нашедших практическое применение АН с N-
образной ВАХ. Схема АН с N-образной ВАХ типа 3 (рис.70) на полевом и
биполярном транзисторах приведена на рис. 81, б[10]. Эквивалентная прово-
димость между клеммами а-б
()()
11
11
21
−−
+
−=
μα
αμ
RR
Yэ
.
Эта схема не отличается высокочастотностью.
Другая схема с такого же вида ВАХ приведена на рис. 83 [5]. Величина
Yэ= - β
1
/R
2
.
Здесь используются биполярные транзисторы одинакового типа прово-
димости. Рабочие частоты не превышают f
β
(граничная частота коэффициен-
та β).
Схема АН, получившего название λ-диода, показана на рис. 84 [11], ве-
личина
)(
21
21
SS
SS
Yэ
+
−=
.
Схема отличается отсутствием резисторов и простотой.
Схема высокочастотного АН с N-образной ВАХ типа 4 (рис. 70) приве-
дена на рис. 85 [5], при одинаковых транзисторах величина Yэ будет равна
rэ
Yэ
2
12
−
−=
α
,
где r
э
– сопротивление эмиттерного перехода, зависящее от тока эмиттера,
определяемого резистором R
1
.
Схема АН с N – образной ВАХ вида 3 ( рис.70) приведена на рис. 86
[8,9,12]. Она отличается от АН, приведенного на рис. 80, другим типом про-
водимости транзистора VT1, эквивалентная проводимость между клеммами
а-б имеет вид
()
()
⎥
⎦
⎤
⎢
⎣
⎡
+−++−−−
⎥
⎦
⎤
⎢
⎣
⎡
+−+−−
−=
3
4
2212124
3
4
21241
2
1)1(5.0)1(5.0)1(
1)5.0()5.0(
1
R
R
RARR
R
R
RRRAR
R
Yэ
αααα
α
,
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 122
- 123
- 124
- 125
- 126
- …
- следующая ›
- последняя »
