ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
133
последовательно или параллельно с катушкой индуктивности отрицательно
дифференцированного сопротивления [13]. Предполагаемая потеря чувстви-
тельности антены, связанная с уменьшением занимаемого ею объема, легко
может быть компенсирована микроэлектронным усилителем.
На рис. 93 и 94 показаны схемы датчиков ЭМП, настроенных на радио-
станцию "Маяк" (549 мГц). В макетах датчиков использовались два типа ка-
тушек. Первая катушка была намотана
на стержневой сердечник из феррита
марки 600 НН (диаметр сердечника - 2 мм, его длина - 12 мм) проводом ПЭВ
- 0,06 до получения индуктивности L=170 мГн. Вторая катушка не содержала
магнитного сердечника. Она наматывалась таким же проводом на плоское
основание из оргстекла толщиной 0,5 мм с радиальными прорезями, диаметр
катушки - 20 мм, индуктивность та же. Такая катушка является прототипом
печатной катушки, получаемой напылением на ситалл меди с подслоем хро-
ма с последующей фотолитографией и травлением.
Добротность катушки регулировалась резистором Rk, служащим для
частичной компенсации отрицательного сопротивления. Изменением емко-
сти конденсатора Ck удавалось перестроить по частоте весь диапазон СВ. К
выходу датчика ЭМП подключался усилитель (коэфф. усиления 100), детек-
тор и высокоомные наушники.
При перестройке датчика ЭМП приходилось
изменять сопротивление Rk, чтобы сорвать возникающую генерацию. Это
является недостатком перестраиваемых датчиков ЭМП описанного типа.
При использовании высокочастотных транзисторов и катушек с мень-
шей индуктивностью удавалось перестроить диапазоны КВ и УКВ. Антенны
сохраняли четко выраженную направленность на радиостанцию.
Схема рис. 93 из-за включения усилителя на транзисторах VТ
5 и VT6
обладает коэффициентом усиления равным 60, поэтому имеет повышенную
чувствительность.
Схема рис. 94 строится на однотипных транзисторах, но менее стабиль-
на.
В твердотельных датчиках ЭМП можно использовать свойство АН с S-
образной ВАХ служить конвертором отрицательного сопротивления [20].
В этом случае емкость конденсатора, подключенного параллельно рези-
стору, сопротивление которого конвертируется в отрицательное, на клеммах
а-б конвертируется в индуктивность. Эта индуктивность может входить в
эквивалент колебательного контура, который и служит датчиком ЭМП.
Пример схемы такого датчика приведен на рис. 95. Здесь емкость C1 на
клеммах а-б создает эквивалентную индуктивность, причем
1
2
1
CkRLэ = ,
где k- коэффициент конверсии, для данной схемы при α→1, k=0,25.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 129
- 130
- 131
- 132
- 133
- …
- следующая ›
- последняя »
