Электроника. Ахмадеев Р.В - 19 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УГАТУ | Уфа

Составители: 

Рубрика: 

2. ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА ЭВ-2
ИССЛЕДОВАНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК УСИЛИТЕЛЬНОГО
КАСКАДА НА БИПОЛЯРНОМ ТРАНЗИСТОРЕ ПО СХЕМЕ С
ОБЩИМ ЭМИТТЕРОМ
2.1. Цель работы
Ознакомление с устройством и физическими основами
принципа действия полупроводниковых биполярных n-p-n- и p-n-p-
транзисторов, исследование характеристик одиночных
полупроводниковых усилительных каскадов с общим эмиттером, а
также получение навыков моделирования процессов в электронных
схемах в пакете Micro-Cap.
2.2. Краткие теоретические сведения
Биполярный транзистор – это электропреобразовательный
полупроводниковый прибор с двумя p-n-переходами и тремя
выводами (эмиттера, базы и коллектора), пригодный для усиления
мощности. Термин "биполярный" говорит о наличии в транзисторах
данного класса двух различных типов носителей заряда – электронов
и дырок, что связано со свойствами полупроводника (германия или
кремния, применяемых для изготовления этих приборов) при вводе в
него примесного материала. В зависимости от порядка чередования
областей с дырочной (p) и электронной (n) электропроводностями,
образующих p-n-переходы, различают транзисторы двух типов
(рис.2.1):
а) p-n-p;
б) n-p-n.
Включение транзистора в схему производится таким образом,
что один его электрод является общим для входной и выходной
цепей, в соответствии с этим возможны три схемы включения
транзистора:
а) с общим эмиттером (с ОЭ);
б) с общим коллектором (с ОК);
в) с общей базой (с ОБ).

Страницы