ВУЗ:
Составители:
Пусть на всех входах схемы действуют высокие потенциалы,
соответствующие уровню логической "1". Тогда все эмиттерные
переходы транзистора VT1 будут смещены в обратном направлении.
В свою очередь, его коллекторный переход оказывается под
действием прямого напряжения, и в базу транзистора VT2 течет ток,
величина которого определяется сопротивлением R1. Транзистор VT2
открывается, поэтому VT4 также открывается, а VT3 запирается. На
выходе схемы будет низкий потенциал (логический "0"). Если хотя бы
на одном из входов схемы будет действовать низкий потенциал,
соответствующий логическому нулю, то в транзисторе VT1 данный
эмиттерный переход сместится в прямом направлении, и ток базы
VT1 будет протекать через эмиттерную цепь в направлении общей
шины. При этом VT2 закроется, VT3 откроется, VT4 будет
закрываться. На выходе схемы появится высокий потенциал
(логическая "1").
В настоящее время выпускается ряд так называемых
стандартных серий ТТЛ-ИС, реализующих операцию "И-НЕ". Это
серии 133 и К155, имеющие среднее быстродействие и среднюю
потребляемую мощность, серии 130 и 131 с высоким
быстродействием, микромощная серия 134, серии ТТЛ-ИС с диодами
Шоттки 530, К531, 533 высокого быстродействия, а также
микромощная серия с диодами Шоттки К555.
R2
R1
R3
R4
VT1
VD
VT2
VT3
VT4
Вх.
Вх.
Вх.
выход
общая
шина
1
2
3
Рис. 4.6.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 50
- 51
- 52
- 53
- 54
- …
- следующая ›
- последняя »
