Космическое материаловедение. Акишин А.И. - 184 стр.

   Проведенные имитационные эксперименты с оптическими стеклами
при Т=77K показали опасность радиационной электризации в условиях
функционирования диэлектрических материалов, используемых в крио-
генных сверхпроводящих магнитах ТЯР [3,4].
    Такие материалы при облучении электронным излучением в интер-
вале энергий 2-8 МэВ при Т=77К, при флюенсах, сопоставимых с ре-
альными условиями эксплуатации, подвергаются радиационной элек-
тризации. Образовавшийся в объеме облученных материалов внедрен-
ный электронный заряд создает в их объеме сильные электрические по-
ля с Е~1-2 МВ/см. Электрическая прочность диэлектриков при криоген-
ных температурах повышается по сравнению с комнатной. В процессе
последующего отогревания радиационно-заряженных диэлектрических
материалов наблюдались многочисленные электрические пробои как на
поверхности, так и в объеме при Т~200-300 К. На рис.3 показано изме-
нение во времени интенсивности разрядных световых вспышек в про-
цессе отогревания стекла, облученного электронами. На рис.4 показано
свечение электрических разрядов при пробое радиационно-заряженного
стекла после его облучения электронами и последующего отогревания.




Рис.3. Изменение во времени интенсивности разрядных световых
вспышек в процессе отогревания стекла, облученного электронами [2]




                                184