Космическое материаловедение. Акишин А.И. - 62 стр.

   Флюенс частиц составлял 1012-1014 см-2. Флюенс выбирали примерно
в 2 раза меньший, чем необходимо для самопроизвольного пробоя за-
ряженного образца, т.е. напряженность электрического поля, созданно-
го объемным зарядом, была близка к электрической прочности стекла.
Для инициирования электрического разряда в облученных электронами
диэлектриках использовалось излучение лазера на кристалле АИГ:Nd 3+
или неодимовом стекле в режиме модулированной добротности (=20
нс, =1,06 мкм). Быстрое лазерное инициирование в стекле дает воз-
можность исследовать начальную стадию электрического разряда и по-
лучить информацию о механизме его формирования и развития (рис.13).
   Световой пробой, вызываемый лазерным излучением, нарушает од-
нородность электрического поля, созданного в объеме диэлектрика вне-
дренным зарядом. Неоднородность поля может быть вызвана возникно-
вением в очаге светового пробоя ударных волн, трещин, термических
напряжений, плазмы. Эти явления могут приводить к локальному по-
вышению напряженности поля в зоне светового пробоя и развитию
электрического разряда.




Рис.13. Лазерное инициирование электрического разряда в стекле:
1 – сигнал от светового пробоя; 2 – сигнал от электрического разряда

   Как правило, световой пробой в твердом диэлектрике сопровождает-
ся ростом трещин из области пробоя. Прорастающая трещина играет
роль микроострия, нарушающего однородность электрического поля.
Напряженность электрического поля вблизи острия трещины может в
десятки и сотни раз превышать среднюю по образцу, что должно суще-
ственно облегчать развитие электрического разряда. Одновременно в
той же области появляется плазма светового пробоя, которая является
источником свободных носителей для развития лавины. Тем самым соз-
даются условия для электрического разряда. Наблюдаемую временную

                                  62