Определение длины волны лазерного излучения и размеров малых препятствий. Алексеева Л.И. - 6 стр.

          (основной) с излучением квантов (вынужденное
          излучение).
              Работа простейшего полупроводникового лазерного
          диода п- и р- типа. Полупроводники р- типа получаются
          при добавлении в основное вещество, например,
          германий или кремний, примеси меньшей валентности
          индий; п- типа – большей валентности мышьяк. Причем
          концентрация примесей должна быть настолько велика,
          чтобы     соответствующие     уровни    расщеплялись,
          перекрывались и тем самым могла создаваться инверсия
          населённости. Это означает, что при соответствующих
          условиях (например, при         наложении внешнего
          напряжения) значительная часть электронов оказывается
          в возбужденном состоянии, затем они могут
          прорекомбинировать с дыркой с излучением кванта
          энергии.
              Дифракционная решетка изготавливается на заводе
          путем нанесения определенного числа штрихов на 1 мм,
                                      1
          например,             N=      = 100 мм −1 ,        указывается           на   самой
                                      d
          решетке, d – параметр дифракционной решетки.
              Дифракционная решетка позволяет разложить
          лазерный луч на большое число когерентных лучей,
          расходящихся под произвольными углами. Параллельные
          лучи интерферируют в бесконечности, образуя max и min
          на достаточно удаленном (по сравнению с параметром
          дифракционной решетки) экране. В тех направлениях,


                                                        6

PDF created with FinePrint pdfFactory Pro trial version http://www.fineprint.com