АЦП и ЦАП в автоматизированных системах научных исследований. Алгазинов Э.К - 7 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

7
вующих 16 различным двоичным комбинациям на входе ЦАП.
Для n-разрядного ЦАП может быть получено до
n
2
уровней выходного на-
пряжения. Для простых ЦАП общего назначения все эти компоненты
можно объединить в одной интегральной микросхеме. Однако для ЦАП
большей разрядности изготовление их по приведенной выше схеме со-
пряжено со значительными трудностями. Это связано с необходимостью
изготовления на одном кристалле сопротивлений с очень большой разни-
цей в номиналах . Например , для 10-разрядного ЦАП сопротивление рези-
стора в цепи младшего значащего разряда должно быть в 2
10
раз больше
сопротивления резистора обратной связи. В силу этого при изготовлении
интегральных ЦАП чаще используется схема, приведенная на рис .3. По
своим характеристикам эта схема эквивалентна изображенной на рис .2, но
в ней используются резисторы только двух номиналов – R и 2R. Структура
резисторной матрицы такова, что ток , втекающий в нее через какую -либо
ветвь, делится в каждом узле на два равных тока. 
                                                 7
в ую щ их 16 различны м д в оичны м                комбинациям на в х од е Ц А П.
Д ляn-разряд ного Ц А П мож етбы т      ьполучено д о 2 n уров ней в ы х од ного на-
пряж ения. Д ля прост     ы х Ц А П общ его назначения в се эт      и компонент    ы
мож но объ ед инит   ь в од ной инт   егральной микросх еме. О д нако д ля Ц А П
больш ей разряд ност    и изгот  ов ление их по прив ед енной в ы ш е сх еме со-
пряж ено со значит    ельны ми т   руд ностями. Э т  о св язано с необх од имост  ью
изгот  ов ления на од ном крист    алле сопрот  ив лений с очень больш ой разни-
цей в номиналах . Н апример, д ля 10-разряд ного Ц А П сопрот        ив лениерези-
ст ора в цепимлад ш его значащ его разряд а д олж но бы т       ь в 210 раз больш е
сопрот   ив ления резист  ора обрат  ной св язи. В силу эт   ого приизгот   ов лении
инт  егральны х Ц А П чащ е использует     ся сх ема, прив ед енная на рис.3. По
св оим х аракт  еристикам эт  а сх ема экв ив алент на изображ енной на рис.2, но
в ней использую т   сярезист   оры т олько д в ух номиналов – R и2R. Ст     рукт ура
резист   орной мат рицы т   аков а, чтот ок, в текаю щ ий в нее через какую -либо
в етв ь, д елитсяв каж д ом узленад в арав ны х т   ока.

Страницы