ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
22
риваемая схема состоит из параллельной емкости в сечении скачка
c
C и
двух последовательных индуктивностей
1
L и
2
L с каждой стороны . Для
расчета могут быть использованы следующие выражения:
()
17,3ln472,5WW33,2ln386,4
WW
C
r12r
21
c
−ε−+ε=
, 5,3WW5,1;10
12r
≤
≤
≤
ε
Значение
c
C
определяется в пикофарадах, все остальные значения – в
единицах СИ .
c
2w1w
1w
1
L
LL
L
L ⋅
+
=
c
2w1w
2w
2
L
LL
L
L ⋅
+
=
1w
L и
2w
L - индуктивности на единицу длины (Гн/м) микрополосковых
линий с шириной
1
W и
2
W соответственно , определяемые как:
cZL
r э 0w
ε=
, где с – скорость света ( см103
8
⋅ ).
c
L , или суммарная индуктивность, равная сумме
1
L и
2
L , определяется по
формуле:
2
2
1
2
1
2
c
0,1
W
W
2,0
W
W
ln57,320,1
W
W
5,40
h
L
1
−+−
−=
.
Значение
c
L по вышеприведенной формуле находится в наногенри (нГн).
Изгиб микрополоскового проводника под прямым углом
Изгибы микрополосковых проводников чаще всего встречаются при
конструировании узла с учетом размещения его на плате. Общий вид и эк-
вивалентная схема такой неоднородности показана на рис.11. Схема со -
стоит из трех элементов – шунтирующей емкости
и
C и двух одинаковых
последовательных индуктивностей , значение каждой из которых равно
2L
и
.
(
)
(
)
()
≥+ε++ε
<
ε
+
−ε−+ε
=
1hWдля0,72,5hW25,15,9
1hWдля
hW
02,0
hW
25,283,1hW5,1214
W
C
rr
rrr
и
,
W
2
W
1
T
T
T
L
2
Z
2
C
c
L
1
Z
1
Рис. 10.
Скачок по ширине микрополоскового проводника
а) – топология б) – эквивалентная схема
а ) б)
22
L2 L1
W1
W2
Z2 Z1
Cc
T T
T
а) б)
Рис. 10.
Скачо к по ш иринемикро по ло ско в о г о про в о д ника
а) – то по ло г ия б) – экв ив алентнаясхема
рив аемая схема со сто ит из параллельно й емко сти в сечении скачка C c и
д в у х по след о в ательны х инд у ктив но стей L1 и L 2 с каж д о й сто ро ны . Д ля
расчета мо г у тбы тьиспо льзо в аны след у ю щ иев ы раж ения:
Cc
= (4,386 ln ε r + 2,33) W2 W1 − 5,472 ln ε r − 3,17
W1 W2
, ε r ≤ 10; 1,5 ≤ W2 W1 ≤ 3,5
Значение C c о пред еляется в пико ф арад ах, в се о стальны е значения – в
ед иницах СИ .
L w1 Lw2
L1 = ⋅ Lc L2 = ⋅ Lc
L w1 + L w 2 L w1 + L w 2
L w1 и L w 2 - инд у ктив но сти на ед иницу д лины (Гн/м) микро по ло ско в ы х
линий сш ирино й W1 и W2 со о тв етств енно , о пред еляемы екак:
L w = Z 0 ε rэ c , г д ес – ско ро стьсв ета ( 3 ⋅ 10 8 м с).
L c , или су ммарнаяинд у ктив но сть, рав наясу мме L1 и L 2 , о пред еляетсяпо
ф о рму ле:
2
Lc W W W
= 40,5 2 − 1,0 − 32,57 ln 2 + 0,2 2 − 1,0 .
h W1 W1 W
1
Значение L c по в ы ш еприв ед енно й ф о рму ленахо д итсяв нано г енри (нГн).
И згибмикрополос ковогопроводника под прямы м у глом
И зг ибы микро по ло ско в ы х про в о д нико в чащ ев сег о в стречаю тся при
ко нстру иро в ании у зла су чето м размещ енияег о на плате. О бщ ий в ид и эк-
в ив алентная схема тако й нео д но ро д но сти по казана на рис.11. Схема со -
сто ит из трех элементо в – ш у нтиру ю щ ей емко сти C и и д в у х о д инако в ы х
по след о в ательны х инд у ктив но стей , значение каж д о й из ко то ры х рав но
Lи 2 .
(14ε r + 12,5) W h − (1,83ε r − 2,25) 0,02ε r
Cи + д ляW h < 1
= Wh Wh ,
W (
9,5ε r + 1,25) W h + 5,2ε r + 7,0 д ляW h ≥ 1
