Составители:
реализации, используются логические элементы (ЛЭ) на МДП-транзисторах
с каналами одного типа проводимости. Однако, потребляемая мощность и в
этом случае является значительной.
Одним из важнейших достижений схемотехники и технологии
(схемотехнологии) явилось создание КМДП-структур. Основная идея
КМДП-схем заключается в использовании при проектировании логических
элементов комплементарных пар (МДП-транзисторов с индуцированными
каналами p- и n-типов проводимости). ЛЭ на КМДП-структурах в
статическом режиме работы рассеивает ничтожно малую мощность, поэтому
в настоящее время широко используются при построении элементов памяти
и других устройств вычислительной техники, где требуется минимальное
потребление энергии в статическом режиме.
Следует помнить, что быстродействие полупроводниковых интегральных
микросхем жестко связано с потребляемой мощностью, другими словами,
повышение их быстродействия достигается за счет увеличения
потребляемой мощности.
К основным статическим параметрам ЛЭ относятся входная, передаточная
и выходная характеристики.
Входная характеристика элемента представляет собой зависимость
входного тока от значения входного напряжения и характеризует входное
сопротивление микросхем.
Выходная характеристика представляет собой зависимость выходного тока
от выходного напряжения и характеризует выходное сопротивление схемы.
Передаточная характеристика схемы представляет собой зависимость
выходного напряжения от значений входного напряжения. По передаточной
характеристике можно определить следующие параметры микросхемы:
- напряжения, кодирующие уровень логического нуля и логическую
единицу;
- логический перепад сигнала;
- ширину активной зоны:
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- …
- следующая ›
- последняя »
