Составители:
Рубрика:
21
По времени восстановления импульсные диоды подразделяют на три
группы: высокого быстродействия (t
вос
<10 нс), среднего быстродействия (10
нс< t
вос
<100 нс) и низкого быстродействия (t
вос
>100 нс).
Для диодов высокого быстродействия I
воc
=0,1I
1
, а для диодов среднего
быстродействия I
воc
=0,01I
1
.
Типы импульсных диодов.
Сплавные диоды имеют значительное время
восстановления ( I
воc
>0,5 мкс). Точечные диоды, обладая малыми емкостью пе-
рехода (0,5 пФ) и зарядом переключения (100— 200 пКл), имеют время восста-
новления менее 0,1 мкс, однако у них небольшие величины прямого тока (не
более 20—50 мА) и допустимого обратного напряжения (не более 20 В).
Значительно большей скоростью переключения, большей величиной
прямого тока, стабильностью параметров и малым их разбросом отличаются
меза-диоды. В этих диодах, изготовленных методом диффузии, для уменьше-
ния площади перехода производят травление кристалла, в результате получа-
ется показанная на рис. 2. 10 меза-структура (от исп. mesa—стол), имеющая
диаметр шейки 70—200 мкм. Меза- диоды имеют время восстановления t
воc
=
10—50 нс при прямом токе I
1
до 500 мА и об-
ратном напряжении U
обр
до 100 В.
Возможности дальнейшего увеличения
скорости переключения открываются при ис-
пользовании токов, создаваемых основными но-
сителями заряда, прохождение которых не свя-
зано с накоплением заряда, ограничивающего
быстродействие прибора. Для этой цели, в част-
ности, может быть использован участок лавинного пробоя диода на обратной
ветви его вольт-амперной характеристики. Высокая скорость развития лавинно-
го разряда позволяет повысить быстродействие диода в 10 … 100 раз и полу-
чить время переключения порядка 0,01 пс.
2.4.4. Полупроводниковые стабилитроны
Режим электрического пробоя р-п-перехода находит практическое при-
менение для стабилизации напряжения. Такие диоды носят название полупро-
водниковых стабилитронов. Их изготовляют из кремния, обеспечивающего по-
лучение необходимой вольтамперной характеристики. Германиевые диоды для
стабилизации напряжения непригодны, так как пробой у них легко приобретает
форму теплового и характеристика в этом режиме имеет неустойчивый падаю-
щий участок.
Вольтамперная характеристика полупроводникового стабилитрона пока-
зана на рис. 2.11. В точке А, где пробой является достаточно устойчивым, ток
обычно имеет величину порядка 50…100 мкА. После точки А ток резко возрас-
тает и допустимая величина его I
max
ограничивается лишь мощностью рассея-
ния Р
max
: I
max
= Р
max
/U
ст
.
Допустимая рассеиваемая мощность Р
тах
определяется тепловым сопро-
тивлением диода R
Т
, допустимой температурой перехода Т
пmax
и температурой
Рис.2.10
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 19
- 20
- 21
- 22
- 23
- …
- следующая ›
- последняя »
