Электроника. Ч.1: Письменные лекции. Антонов О.Г - 33 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

СЗТУ | Санкт-Петербург

Составители: 

Рубрика: 

33
Максимальная мощность рассеяния транзистора определяется макси-
мально допустимой температурой его коллекторного перехода Т
Пmax
и темпера-
турой окружающей среды Т
0
. При пренебрежимо малом тепловом сопротивле-
нии теплоотвода R
T0
<R
T
получаем, что максимальная мощность рассеяния
транзистора равна P
кmax
=
T
П
R
TT
0max
−
. Максимально допустимая температура
коллекторного перехода составляет 70…100°С для германиевых и 125…200°С
для кремниевых транзисторов. Для конкретных типов приборов она указывает-
ся в справочниках.
3.5. Предельные импульсные параметры транзистора
Импульсный нагрев. При прохождении
через транзистор с включенным в цепь коллектора
резистором нагрузки R периодических
прямоугольных импульсов тока I
к
длительностью t
1
с частотой следования F (рис.3.6, а) напряжение
коллектора изменяется, как показано на рис.3.6,б, от
E
к
до U
кн
=E
к
-RI
к
, а в транзисторе выделяется в
течение импульса мощность
P
ки
=U
кн
I
к
+U
эб
I
э
, идущая на нагрев транзистора.
Мощностью, выделяющейся в течение паузы,
обычно можно пренебречь. При этом температура
коллекторного перехода изменяется, как показано на
рис.3.6,в. В течение импульса тока температура
перехода повышается, а в течение паузы переход
охлаждается. Если длительность импульса достаточно мала по сравнению с
временем установления теплового режима, то температура перехода в течение
импульса может не достигнуть установившегося значения, следовательно, она
зависит от длительности импульса тока t
1
. Температура, до которой охлаждает-
ся транзистор в течение паузы, зависит от длительности паузы t
2
.Таким обра-
зом, для описания тепловых свойств транзистора в импульсном режиме недос-
таточно одного параметра — теплового сопротивления— и соотношение
P
к
=
0
0
TT
П
RR
TT
+
−
в импульсном режиме теряет смысл.
3.6. Дифференциальные параметры транзисторов
Величины, связывающие малые приращения токов и напряжений, назы-
вают дифференциальными параметрами транзистора. Для того чтобы ввести
дифференциальные параметры, транзистор представляют в общем виде как
устройство, на входе которого действуют напряжение U
1
и ток I
1
, а на выходе
— напряжение U
2
и ток I
2
(рис. 3.7). Такую модель, называемую четырехпо-
люсником, широко применяют при исследованиях и разработках.
Рис. 3.6
в)

Страницы