Составители:
Рубрика:
5
                                                                                                        Таблица 1.1 
Класс вещества  Удельная электрическая 
проводимость, См/см 
Удельное электрическое сопро-
тивление, Ом ⋅ см 
Проводники  
Полупроводники 
Диэлектрики 
10
4
10
4 
− 10
-10 
<10
-10
<10
-4 
10
-4 
− 10
10 
>10
10 
Основным  признаком,  выделяющим  полупроводники  как  особый  класс 
веществ, является сильное влияние температуры и концентрации примесей на 
их  электрическую  проводимость.  Так,  например,  даже  при  сравнительно  не-
большом повышении  температуры  проводимость  полупроводников  резко  воз-
растает (до 5…6% на 1°С). Проводимость же металлов с ростом температуры 
не увеличивается, а падает очень незначительно: Изменение составляет десятые 
доли процента на 1°С. Введение  примеси в полупроводник в количестве 10
-7
-
10
-9 
% уже существенно увеличивает его проводимость. 
У большинства полупроводников сильное изменение электрической про-
водимости возникает под действием света, ионизирующих излучений и других 
энергетических  воздействий.  Таким  образом,  полупроводник 
−
  это  вещество, 
удельная проводимость которого существенно 
зависит от внешних факторов. 
 Полупроводники  представляют  собой 
наиболее  многочисленный  класс  веществ.  К 
ним относятся химические элементы: бор, уг-
лерод,  кремний,  фосфор,  сера,  германий, 
мышьяк,  селен,  серое олово,  теллур, йод,  хи-
мические  соединения CuCI, CaAs, GeSi, Cu0, 
PbS и др., большинство минералов 
−
 природ-
ных  химических  соединений,  число  которых 
доходит  до 2000,  и  многие  органические  ве-
щества. 
В  электронике  находит  применение 
лишь ограниченное число полупроводниковых веществ. На первом месте среди 
них стоят германий, кремний, арсенид галлия, используемые в качестве основы 
при изготовлении полупроводниковых приборов. Бор, фосфор, мышьяк и неко-
торые другие вещества используют в качестве примесей. 
Атомы полупроводников (кремния, германия), обладающие четырьмя ва-
лентными электронами, образуют кристаллическую решетку со структурой ти-
па алмаза, в которой каждый атом имеет по четыре ближайших соседних атома 
(рис. 1.1). Атомы кристаллической решетки связаны между собой ковалентной 
(гомеополярной)  связью, при  которой  каждый  валентный  электрон принадле-
жит одновременно двум соседним атомам. 
Объемную  кристаллическую  решетку  полупроводника,  например  крем-
ния, упрощенно изображают плоской (рис. 1.2). Ковалентная связь,  образован-
ная парой электронов между каждой парой соседних атомов кремния, показана 
Рис. 1.1
Страницы
- « первая
 - ‹ предыдущая
 - …
 - 3
 - 4
 - 5
 - 6
 - 7
 - …
 - следующая ›
 - последняя »
 
