Составители:
Рубрика:
8
ние, испытывая соударения (рассеяние) с колеблющимися атомами кристалли-
ческой решетки (тепловые колебания), ионами примесных атомов и другими
дефектами решетки.
Равновесные и неравновесные носители заряда. Полный ток в полу-
проводниках.
До сих пор рассматривался полупроводник в равновесных усло-
виях, т.е. при отсутствии внешних воздействий (освещения, сильного электри-
ческого поля и др.). Носители заряда в полупроводнике в равновесных услови-
ях называются равновесными; их концентрация полностью определяется тем-
пературой, шириной запрещенной зоны ε
з
и концентрациями примесей.
В полупроводнике могут существовать и неравновесные, избыточные но-
сители заряда, создаваемые каким-либо внешним источником энергии, напри-
мер, облучением, при кото-
ром происходит дополни-
тельный переход валентных
электронов в зону проводи-
мости (т.е. "отрыв" валент-
ных электронов от атомов
кремния) и появляются но-
вые избыточные электрон-
но-дырочные пары.
Избыточные элек-
тронно-дырочные пары мо-
гут исчезать при рекомбина-
ции (рис. 1.3, а) —переходе
избыточных свободных
электронов из зоны прово-
димости в валентную зону
на избыточный свободный уровень (захват избыточного электрона атомом
кремния) .
Если в некоторой части полупроводника имеются неравновесные носите-
ли, появляется диффузионный поток этих носителей в близлежащую область,
где их нет или концентрация их мала. При движении этих носителей происхо-
дит и перенос заряда, т.е. проходит электрический ток в полупроводнике. Элек-
трический ток, возникающий при диффузии носителей заряда в полупроводни-
ке, называют диффузионным.
Полный ток в полупроводнике в общем случае складывается из дрейфо-
вого и диффузионного.
1.3. Особенности р-п-перехода в полупроводниках
Структура р-п-перехода. P-п-переходом называют границу между об-
ластями полупроводника р- и n-типа., которая обладает выпрямительными
свойствами.
Рис. 1.3
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 6
- 7
- 8
- 9
- 10
- …
- следующая ›
- последняя »
