Применение гальваномагнитных явлений в полупроводниках для создания приборов и устройств СВЧ диапазона. Антропов В.А - 2 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ПГУ | Пенза

Составители: 

Рубрика: 

2
Оглавление.
Введение. ........................................................................ 4
1.Глава первая. Гальваномагнитные явления в
полупроводниках. .......................................................... 6
1.1. Эффект Холла в полупроводниках. .................. 6
1.2. Магниторезистивный эффект или эффект
Гаусса. ...................................................................... 11
ГЛАВА 2. Некоторые вопросы разработки устройств
на основе гальваномагнитных явлений. .................... 16
2.1.Параметры устройств и обоснование выбора
полупроводниковых материалов для их
изготовления. ........................................................... 16
2.3. Технология изготовления кристаллических
датчиков Холла. ....................................................... 36
2.4. Экспериментальное исследование
параметров плёночных датчиков Холла,
используемых для измерения магнитных полей. . 63
2.5.Термостабильный зонд из кристаллических
датчиков Холла для измерения напряжённости
продольных магнитных полей. .............................. 70
2.6. Высокочувствительный охлаждаемый датчик
Холла из сурьмянистого индия для измерения
магнитных полей. .................................................... 73
Глава 3. Приборы и устройства, использующие
гальваномагнитные эффекты в диапазоне СВЧ. ...... 77
3.1 Эффект Холла в диапазоне СВЧ. ..................... 77
3.2 Решение уравнения движения носителей
зарядов для гармонических полей. ........................ 79
3.3 Ток смещения и поверхностный эффект. ...... 83 
        Оглавление.

Введение......................................................................... 4
1.Глава первая. Гальваномагнитные явления в
полупроводниках. .......................................................... 6
  1.1. Эффект Холла в полупроводниках. .................. 6
  1.2. Магниторезистивный эффект или эффект
  Гаусса. ...................................................................... 11
ГЛАВА 2. Некоторые вопросы разработки устройств
на основе гальваномагнитных явлений. .................... 16
  2.1.Параметры устройств и обоснование выбора
  полупроводниковых материалов для их
  изготовления. ........................................................... 16
  2.3. Технология изготовления кристаллических
  датчиков Холла. ....................................................... 36
  2.4. Экспериментальное исследование
  параметров плёночных датчиков Холла,
  используемых для измерения магнитных полей. . 63
  2.5.Термостабильный зонд из кристаллических
  датчиков Холла для измерения напряжённости
  продольных магнитных полей. .............................. 70
  2.6. Высокочувствительный охлаждаемый датчик
  Холла из сурьмянистого индия для измерения
  магнитных полей. .................................................... 73
Глава 3. Приборы и устройства, использующие
гальваномагнитные эффекты в диапазоне СВЧ. ...... 77
  3.1 Эффект Холла в диапазоне СВЧ. ..................... 77
  3.2 Решение уравнения движения носителей
  зарядов для гармонических полей. ........................ 79
  3.3 Ток смещения и поверхностный эффект. ...... 83


                                                                                 2

Страницы