Методы и приборы определения места короткого замыкания на линиях. Аржанников Е.А - 25 стр.

        Принцип работы кратковременной памяти поясняется рисунками 8 и 9.
Согласно рис.6 входная величина через входной трансформатор поступает на
пусковой орган (ПО). В нормальном режиме входная величина мала (обусловлена
только небалансом фильтров обратной или нулевой последовательности). При КЗ
она резко возрастает, пусковой орган срабатывает. При этом обеспечена
естественная одновременность пуска приборов на двух концах линии. ПО
приводит в действие КЗУ, который с временем отстройки подключает
конденсатор С1 на заряд от входной величины. При одинаковом времени
отстройки на двух концах линии приборы начинают фиксацию одновременно.
        На рис.9 показано изменение во времени входного тока (3Iо) и
напряжения на конденсаторе (Uс) в случае, когда входной ток содержит
значительную апериодическую составляющую. Видно, что время отстройки
совместно с замедленным зарядом конденсатора могут устранить влияние
апериодической составляющей, если она к концу времени фиксации затухнет.
Согласно данным (Электротехнический справочник, т.3, кн.1, Энергоатомиздат,
1988, табл.35.5) постоянные времени затухания апериодической составляющей
вблизи станций равны 0,2-0,54 с, в глубине сетей 0,02-0,03 с. Следовательно,
вблизи станций рассмотренный способ не гарантирует отстройки от
апериодической составляющей, в сетях - гарантирует. По окончании времени
фиксации напряжение на конденсаторе пропорционально входной величине -
фиксация завершена.
        Принцип перевода информации из кратковременной памяти в
долговременную пояснен рисунками 10 и 11. Согласно рис.10 измерение
напряжения на конденсаторе кратковременной памяти С1 происходит путем
периодического разряда его на конденсатор С2. В приборе предусмотрен
своеобразный аналого-цифровой преобразователь (АЦП), который то подключает
С2 к С1, то отключает его и разряжает. Если перед i-м подключением
напряжение на С1 было UC1,i , то количество электричества в конденсаторе было




                                                    КЗУ
                     Т
                                           a
                                VD
                                                               С1
                                           ПО

                                           в
                                  Рис. 8

                   3Io

                                      25

                                                           t