Составители:
7
Рис. 1 Параметрическая геометрия расчетной модели подложки GaN-на-
сапфире
На Рис. 2 а показана зависимость степени релаксации
нормированных осредненных гидростатических напряжений для
некоторых из рассмотренных геометрических конфигураций. На Рис.2 б
показаны распределения нормированных гидростатических напряжений в
осевом сечении наноколонок для следующих геометрических
конфигураций:
мкм,
и 0.7. Видно, что наибольшая
релаксация напряжений наблюдается внутри наноколонок.
а
б
Рис. 2 Результаты расчетов: а – зависимость степени релаксации
нормированных осредненных гидростатических напряжений; б –
распределения нормированных гидростатических напряжений в осевом
сечении наноколонок при:
мкм,
и 0.7
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 6
- 7
- 8
- 9
- 10
- …
- следующая ›
- последняя »
