Схемотехника. Ашанин В.Н - 201 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ПГУ | Пенза

Составители: 

Рубрика: 

206
Транзистор VT8, диод VD3 и резистор R4 обеспечивают возможность
выключения стабилизатора внешним сигналом.
Типовая схема включения микросхем КР142ЕН1 и ЕН2 показана на
рис. 4.38.
VT
R
1
R
2
R
3
U
вых
U
выкл
U
вх
11
12
2
10
2к
4
5
0,1
14
13
0,1
3
1
8
22 к
1,6 к
7
Рис. 4.38
Принцип действия защиты по току основан на запирании составного
регулирующего транзистора VT6, VT7. В нормальном режиме, когда на-
пряжение на резисторе R1 меньше напряжения на резисторе R2, база тран-
зистора VT9 имеет отрицательный потенциал по отношению к его эмитте-
ру, и он закрыт. При перегрузках и при его коротком замыкании напряже
-
ние на резисторе R1 возрастает, и, как только потенциал базы станет более
положительным по отношению к его эмиттеру, транзистор VT9 откроется,
его базовый и коллекторный токи увеличатся. Увеличение коллекторного
тока приводит к уменьшению токов базы транзисторов VT6, VT7 регули-
рующего элемента, они запираются, ток в нагрузке ограничивается.
Формулы для расчета
резисторов R1 и R3
()()
Îì,,
103,0
7,0
3
Îì,5
0,150
7,0
1
3
âûõ
ä
áýâûõ
ímax
áý
−
⋅
+
=
+
=
≈≈=
U
I
UU
R
I
U
R
где I
нmax
-максимально допустимый ток нагрузки ИМС, I
д
–ток делителя R2
и R3.
I
д
–ток делителя R2 иR3. 
     Транзистор VT8, диод VD3 и резистор R4 обеспечивают возможность
            выключения стабилизатора внешним сигналом.
      Типовая схема включения микросхем КР142ЕН1 и ЕН2 показана на
                             рис. 4.38.

                                                 VT         R1



                    11                  8
                    12                  1
                     2                  3
    Uвх                                                           22 к    Uвых
           2к R2 10                                 0,1
                                        13
                  4
                  5                     14
            R3                                            Uвыкл   1,6 к
                                7
                       0,1


                                     Рис. 4.38
      Принцип действия защиты по току основан на запирании составного
 регулирующего транзистора VT6, VT7. В нормальном режиме, когда на-
пряжение на резисторе R1 меньше напряжения на резисторе R2, база тран-
зистора VT9 имеет отрицательный потенциал по отношению к его эмитте-
ру, и он закрыт. При перегрузках и при его коротком замыкании напряже-
ние на резисторе R1 возрастает, и, как только потенциал базы станет более
положительным по отношению к его эмиттеру, транзистор VT9 откроется,
его базовый и коллекторный токи увеличатся. Увеличение коллекторного
 тока приводит к уменьшению токов базы транзисторов VT6, VT7 регули-
    рующего элемента, они запираются, ток в нагрузке ограничивается.
                   Формулы для расчета резисторов R1 и R3
                         U áý        0,7
                  R1 =          ≈         ≈ 5, Îì
                       I ímax       0,150

                  R3 =
                       (U âûõ + U áý ) = (U âûõ + 0,7) , Îì,
                              Iä           0,3 ⋅ 10− 3
где Iнmax-максимально допустимый ток нагрузки ИМС, Iд–ток делителя R2
                                 и R3.
                        Iд–ток делителя R2 иR3.


                                       206

Страницы