Схемотехника. Ашанин В.Н - 227 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ПГУ | Пенза

Составители: 

Рубрика: 

232
VT
1
VD
1
VD
2
VT
2
R
н
ω
2
ω
в
/2
ω
в
/2
2
ω
1
U
0
U
ос
U
г
+
+
+
+
+
+
+
R
1
R
2
ГИ
Т2
Т1
Рис. 4.53
Особенностью данной схемы является то, что управление транзисто-
рами осуществляется не только напряжением, вырабатываемым генерато-
ром прямоугольных импульсов ГИ. В момент смены полярности напряже-
ния задающего генератора на процесс переключения транзисторов начи-
нают оказывать воздействие базовые обмотки обратной связи трансформа-
тора Т1. Их назначение заключается в устранении режима «сквозных то-
ков
», который возникает из-за эффекта рассасывания избыточных зарядов
в обмотках баз закрываемых транзисторов. Этот режим сопровождается
хотя и кратковременными, но значительными по амплитуде бросками кол-
лекторных токов одновременно открытых транзисторов, что заметно
уменьшает к.п.д. инвертора.
Допустим, что открыт транзистор VT1 и закрыт VT2. При этом по-
лярность напряжения
на обмотках ИТр показана на рис. 4.53. Напряжение
обмотки обратной связи U
ос
запирающей полярности через диод VD2 при-
кладывается к переходу база-эмиттер закрытого транзистора VT2. При
смене полярности напряжения генератора к переходу база-эмиттер ранее
открытого транзистора VT1 прикладывается напряжение U
г
запирающей
полярности. Такое же напряжение U
г
, но отпирающей полярности. прикла-
                                      Rн


                                      ω2
                                                             Т1
            ωв/2                   2ω1                       ωв/2
        +                +              +                +          Uос

            VD1                                              VD2
                                   U0

                   VT1              +
                                                   VT2


                    R1       Uг   +           +    R2


                                              Т2

                                   ГИ


                                  Рис. 4.53
      Особенностью данной схемы является то, что управление транзисто-
рами осуществляется не только напряжением, вырабатываемым генерато-
ром прямоугольных импульсов ГИ. В момент смены полярности напряже-
 ния задающего генератора на процесс переключения транзисторов начи-
нают оказывать воздействие базовые обмотки обратной связи трансформа-
 тора Т1. Их назначение заключается в устранении режима «сквозных то-
ков», который возникает из-за эффекта рассасывания избыточных зарядов
 в обмотках баз закрываемых транзисторов. Этот режим сопровождается
хотя и кратковременными, но значительными по амплитуде бросками кол-
   лекторных токов одновременно открытых транзисторов, что заметно
                      уменьшает к.п.д. инвертора.
       Допустим, что открыт транзистор VT1 и закрыт VT2. При этом по-
лярность напряжения на обмотках ИТр показана на рис. 4.53. Напряжение
обмотки обратной связи Uос запирающей полярности через диод VD2 при-
  кладывается к переходу база-эмиттер закрытого транзистора VT2. При
 смене полярности напряжения генератора к переходу база-эмиттер ранее
 открытого транзистора VT1 прикладывается напряжение Uг запирающей
полярности. Такое же напряжение Uг, но отпирающей полярности. прикла-

                                    232

Страницы