Изучение основных законов фотоэффекта и определение постоянной Планка. Айданова О.С - 7 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ИГУ | Иркутск

Составители: 

Рубрика: 

Анод выполнен в виде металлического кольца, помещенного в центральной
части баллона. Большинство современных фотоэлементов имеют сурьмяно-
цезиевые катоды или кислородно - цезиевые катоды, обладающие высокой
фоточувствительностью. Для увеличения чувствительности фотоэлемента
его
наполняют аргоном при давлении порядка 10
-2
мм.
рт. столба. Внутренний фотоэффект наблюдается
у полупроводников и, в меньшей мере, у
диэлектриков. Фотоэлементы, основанные на
внутреннем фотоэффекте, называются
полупроводниковыми фотоэлементами или
фотосопротивлениями. Для их изготовления
используют селен, сернистый свинец, сернистый кадмий и некоторые
другие полупроводники.
Порядок выполнения работы
1. Снятие вольт- амперной характеристики вакуумного
фотоэлемента
Порядок выполнения задания
1. Собрать электрическую цепь по схеме рис. 4.
2.
Включить осветитель миллиамперметра в сеть 220 В.
3.
Проверить, что показание миллиамперметра при закрытом
фотоэлементе равно нулю.
4.
Снять зависимость I=f(U), меняя U от 0 до 50 В, через 5 В, а от 50
В до 100 В через 10 В.
Рис.4.
К
А
mA
_
+
B
R
V
Ф
A K
⊗
∼
12 В
О
Рис.3
.
PDF created with FinePrint pdfFactory Pro trial version http://www.fineprint.com
                 Анод выполнен в виде металлического кольца, помещенного в центральной
                 части баллона. Большинство современных фотоэлементов имеют сурьмяно-
                 цезиевые катоды или кислородно - цезиевые катоды, обладающие высокой
                 фоточувствительностью. Для увеличения чувствительности фотоэлемента
                 его
                                        наполняют аргоном при давлении порядка 10-2 мм.
                                        рт. столба. Внутренний фотоэффект наблюдается
                            К           у полупроводников и, в меньшей мере, у
                                    А   диэлектриков. Фотоэлементы, основанные на
                                        внутреннем        фотоэффекте,      называются
                                        полупроводниковыми      фотоэлементами      или
                              Рис.3.    фотосопротивлениями. Для их изготовления
                 используют селен, сернистый свинец, сернистый кадмий и некоторые
                 другие полупроводники.



                                             Порядок выполнения работы

                              1. Снятие вольт- амперной характеристики вакуумного
                                                фотоэлемента

                       Порядок выполнения задания
                          1. Собрать электрическую цепь по схеме рис. 4.
                          2. Включить осветитель миллиамперметра в сеть 220 В.
                          3. Проверить, что показание миллиамперметра при закрытом
                    фотоэлементе равно нулю.
                          4. Снять зависимость I=f(U), меняя U от 0 до 50 В, через 5 В, а от 50
                    В до 100 В через 10 В.


                                                                                   Ф О
                                                                           A       K⊗
                                _
                                 +   B                    V
                                            R                                        ∼
                                                                                     12 В
                                                                     mA

                                                         Рис.4.




PDF created with FinePrint pdfFactory Pro trial version http://www.fineprint.com

Страницы