Изучение свойств p-n-переходов. Бабенко С.П. - 1 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

МГТУ им. Баумана | Москва

Составители: 

Рубрика: 

С.П. БАБЕНКО
ИЗУЧЕНИЕ СВОЙСТВ p – n ПЕРЕХОДОВ
Методические указания к лабораторной работе
Ф-6 а,б по курсу общей физики
Под редакцией Л.К. Мартинсона
1989г.
[Б13 Бабенко С.П. Изучение свойств p-n переходов: Методические указания к лабораторной рабо-
те Ф-6 по курсу общей физики / под ред. Л.К. Мартинсона. – М.: Изд-во МГТУ , 1989. –14с., ил.]
В работе изучаются выпрямляющие и туннельные свойства p-n переходов, излагается
теория этих свойств и описываются экспериментальные методы определения характер-
ных параметров полупроводниковых диодов. Работа предназначена для студентов в ка-
честве методического указания к выполнению лабораторной работы.
Рецензент В.Н. Атаманов
Цель работы - ознакомиться с теорией выпрямляющих и туннельных свойств полупроводниковых
диодов, освоить экспериментальные методы определения некоторых параметров р -n-переходов.
Введение
р-n
-переход образуется на контакте дв ух полупроводников с различными типами проводимости -
электронного и дырочного. Он является основным элементом огромного класса полупроводнико-
вых приборов. Такое широкое применение связано с многообразием ценных для практического
использования свойств
р-n
-перехода. Ими можно управлять, выбирая параметры полупроводни-
ков и меняя технологию изготовления
р-n
-перехода. Это позволяет наиболее подходящие для вы-
бранной цели свойства делать основными свойствами устройства. В частности, нелинейность ак-
тивного сопротивления перехода является основным свойством выпрямительных диодов, исполь-
зуемых для преобразования частоты, детектирования, выпрямления и ограничения сигналов.
Нелинейным является и реактивное (емкостное) сопротивление
р-n
-перехода. Это свойство - ос-
новное для диодов, используемых для генерации гармоник, модуляции и преобразования частоты,
усиления СВЧ (сверхвысокочастотных) сигналов (параметрические усилители с малыми шумами),
генерации и формирования импульсов.
                                      С.П. БАБЕНКО
                     ИЗУЧЕНИЕ СВОЙСТВ p – n ПЕРЕХОДОВ
                   Методические указания к лабораторной работе
                             Ф-6 а,б по курсу общей физики


                               Под редакцией Л.К. Мартинсона
                                            1989г.


[Б13 Бабенко С.П. Изучение свойств p-n переходов: Методические указания к лабораторной рабо-
те Ф-6 по курсу общей физики / под ред. Л.К. Мартинсона. – М.: Изд-во МГТУ, 1989. –14с., ил.]


         В работе изучаются выпрямляющие и туннельные свойства p-n переходов, излагается
         теория этих свойств и описываются экспериментальные методы определения характер-
         ных параметров полупроводниковых диодов. Работа предназначена для студентов в ка-
         честве методического указания к выполнению лабораторной работы.
         Рецензент В.Н. Атаманов




Цель работы - ознакомиться с теорией выпрямляющих и туннельных свойств полупроводниковых
диодов, освоить экспериментальные методы определения некоторых параметров р -n-переходов.
                                          Введение
р-n-переход образуется на контакте двух полупроводников с различными типами проводимости -
электронного и дырочного. Он является основным элементом огромного класса полупроводнико-
вых приборов. Такое широкое применение связано с многообразием ценных для практического
использования свойств р-n -перехода. Ими можно управлять, выбирая параметры полупроводни-
ков и меняя технологию изготовления р-n-перехода. Это позволяет наиболее подходящие для вы-
бранной цели свойства делать основными свойствами устройства. В частности, нелинейность ак-
тивного сопротивления перехода является основным свойством выпрямительных диодов, исполь-
зуемых для преобразования частоты, детектирования, выпрямления и ограничения сигналов.
Нелинейным является и реактивное (емкостное) сопротивление р-n -перехода. Это свойство - ос-
новное для диодов, используемых для генерации гармоник, модуляции и преобразования частоты,
усиления СВЧ (сверхвысокочастотных) сигналов (параметрические усилители с малыми шумами),
генерации и формирования импульсов.

Страницы