Изучение свойств p-n-переходов. Бабенко С.П. - 3 стр.

UptoLike

Составители: 

Электроны полностью заполненных зон на проводимость электрического тока влияния не оказы-
вают. Это объясняется тем, что для участия в токе электрон должен непрерывно менять энергию и
переходить с одного энергетического уровня на другой, что в заполненной зоне запрещено прин-
ципом Паули.
Под действием энергии теплового движения часть электронов переходит из валентной зоны в зону
проводимости. Обе зоны становятся частично заполненными электронами. Так как степень запол-
нения их различна, то различны и условия движения электронов в них. Расчёты показывают, что
результат движения всех электронов валентной зоны, с точки зрения электропроводности, эквива-
лентен результату движения в ней положительных зарядов, число которых совпадает с числом ва-
кантных мест в валентной зоне. Этот положительный заряд получил название "дырка". Условия ее
движения при участии в токе близки к условиям движения электрона в зоне проводимости. По-
этому физические характеристики электронов и дырок практически совпадают. При переходе
электронов из валентной зоны в зон у проводимости образуется равное число носителей обоих
знаков (электронов и дырок), участвующих в проводимости.
p-n
-переход образуется на контакте двух примесных пол упроводников - электронного (n-типа) и
дырочного (p -типа). Примесными называются такие полупроводники, у которых носители, при-
нимающие участие в проводимости тока, образуются двумя способами:
1) за счет перехода электронов из зоны в зону (собственные носители); 2) за счет переходов с
уровня, обеспечиваемого примесью (в n-типе), или на него (в p -типе). Примесь, поставляющая в
зону проводимости электроны, называется донорной; примесь, поставлявшая дырки в валентную
зону - акцепторной.
Технологически
p–n
-переход получают введением акцепторной (донорной) примеси с одного
конца слаболегированного образца n-(p)-типа. Энергетический уровень донорной примеси
E
д
ле-
жит в запрещенной зоне вблизи дна зоны проводимости
E
1
(см.рис.1.а).
Е
1
Е
2
Е
д
Е
1
Е
2
Е
а
а
)
б
)
Рис.1
Электроны полностью заполненных зон на проводимость электрического тока влияния не оказы-
вают. Это объясняется тем, что для участия в токе электрон должен непрерывно менять энергию и
переходить с одного энергетического уровня на другой, что в заполненной зоне запрещено прин-
ципом Паули.
Под действием энергии теплового движения часть электронов переходит из валентной зоны в зону
проводимости. Обе зоны становятся частично заполненными электронами. Так как степень запол-
нения их различна, то различны и условия движения электронов в них. Расчёты показывают, что
результат движения всех электронов валентной зоны, с точки зрения электропроводности, эквива-
лентен результату движения в ней положительных зарядов, число которых совпадает с числом ва-
кантных мест в валентной зоне. Этот положительный заряд получил название "дырка". Условия ее
движения при участии в токе близки к условиям движения электрона в зоне проводимости. По-
этому физические характеристики электронов и дырок практически совпадают. При переходе
электронов из валентной зоны в зону проводимости образуется равное число носителей обоих
знаков (электронов и дырок), участвующих в проводимости.
p-n -переход образуется на контакте двух примесных полупроводников - электронного (n-типа) и
дырочного (p -типа). Примесными называются такие полупроводники, у которых носители, при-
нимающие участие в проводимости тока, образуются двумя способами:
1) за счет перехода электронов из зоны в зону (собственные носители); 2) за счет переходов с
уровня, обеспечиваемого примесью (в n-типе), или на него (в p -типе). Примесь, поставляющая в
зону проводимости электроны, называется донорной; примесь, поставлявшая дырки в валентную
зону - акцепторной.
Технологически p–n -переход получают введением акцепторной (донорной) примеси с одного
конца слаболегированного образца n-(p)-типа. Энергетический уровень донорной примеси Eд ле-

жит в запрещенной зоне вблизи дна зоны проводимости E1 (см.рис.1.а).



         Е1                                                            Е1
         Ед
                                                                       Еа
         Е2                                                            Е2
                      а)                               б)

                                       Рис.1