Изучение свойств p-n-переходов. Бабенко С.П. - 13 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

МГТУ им. Баумана | Москва

Составители: 

Рубрика: 

При подаче достаточно малого внешнего на-
пряжения (от 0 до V=V
1
.
рис. 9, в) напротив за-
полненных уровней зоны проводимости в n –
типе оказываются свободные уровни p-
nолупроводника
(
рис.9,а).
Они отделены узким
потенциальным барьером (рис.9,б). Начинается
переход электронов сквозь этот потенциальный
барьер, и возникает туннельный ток.
На рис.9,в пунктиром показана полная ВАХ.
Сплошной линией показана часть ВАХ от V = 0
до напряжения
V = V
1
, которому соответствует
приведенная в данном рисунке энергетическая
диаграмма. Диффузионный ток при таком ма-
лом внешнем напряжении V < V
1
(рис.10в) мно-
го меньше туннельного.
Туннельный ток достигает максимума
(рис.10,в), когда уровень Ферми в полупровод-
нике n -типа совпадает с верхним краем валент-
ной зоны полупроводника p -типа (рис..10,а). Дальнейшее увеличение внешнего положительного
напряжения приводит сначала к уменьшению (рис.11,а), а затем к исчезновению (рис.12,а) пере-
крытия занятых электронами уровней
n
-области в зоне проводимости и свободных уровней p -
области в валентной зоне. При этом туннельный ток убывает и достигает практически нулевого
значения.
Рис.13
Рис.14
                                               При подаче достаточно малого внешнего на-
                                               пряжения (от 0 до V=V1. рис. 9, в) напротив за-
                                               полненных уровней зоны проводимости в n –
                                               типе   оказываются    свободные    уровни    p-
                                               nолупроводника (рис.9,а). Они отделены узким
                                               потенциальным барьером (рис.9,б). Начинается
                                               переход электронов сквозь этот потенциальный
                                               барьер, и возникает туннельный ток.
                                               На рис.9,в пунктиром показана полная ВАХ.
                                               Сплошной линией показана часть ВАХ от V = 0
                                               до напряжения V = V1, которому соответствует
                                               приведенная в данном рисунке энергетическая
                                               диаграмма. Диффузионный ток при таком ма-
                                               лом внешнем напряжении V < V1 (рис.10в) мно-
                                               го меньше туннельного.
                                               Туннельный     ток    достигает       максимума
                  Рис.13                       (рис.10,в), когда уровень Ферми в полупровод-
                                               нике n -типа совпадает с верхним краем валент-
ной зоны полупроводника p -типа (рис..10,а). Дальнейшее увеличение внешнего положительного




                                Рис.14

напряжения приводит сначала к уменьшению (рис.11,а), а затем к исчезновению (рис.12,а) пере-
крытия занятых электронами уровней n -области в зоне проводимости и свободных уровней p -
области в валентной зоне. При этом туннельный ток убывает и достигает практически нулевого
значения.

Страницы