Сварочные процессы в электронном машиностроении. Бадьянов Б.Н - 152 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

151

малого диаметра (см. рис. 86, г, д, е, ж). При разварке кристалла микросхемы с

внешним выводом корпуса используется соединение по торцу проволоки

большего диаметра (рис. 86, б, з).

Используются при сборке электронных приборов и соединения из

листовых материалов. Основным видом соединения в этом случае является

нахлесточное (см. рис. 87, а), наиболее распространенное практически для всех

способов сварки давлением.

Рис. 87. Виды соединений из листовых материалов:

а – нахлесточное соединение, б – нахлесточное соединение для различных методов сварки

(I, II – узел А для рельефной сварки, III – для холодной сварки), в – нахлесточное соединение

ленты с пленкой контактной площадки; 1 – лента, 2 – контактная площадка,

3 – диэлектрическая подложка

Применительно к отдельным конструкциям электронных приборов в

нахлесточное соединение вводятся элементы, облегчающие его образование

или исключающие разрушение прибора в процессе образования соединения.

Так, при герметизации корпусов полупроводниковых приборов

электроконтактной сваркой на одной из кромок выполняется рельеф

(см. рис. 87, б, варианты I и II). При герметизации корпусов холодной сваркой