Прием и обработка информации. Бакеев Д.А - 74 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

КамчатГТУ | Петропавловск-Камчатский

Составители: 

Рубрика: 

нах емкостей и индуктивностей. При схемах 2-го типа катуш-
ки соединены параллельно (тип 2, а), а конденсаторы – после-
довательно (тип 2, б). В комбинированных схемах 3-го
и 4-го типов как катушки, так
и конденсаторы
В начально нных на рис. 8,
резонансна значения-
ми емкости
одновременно коммутируются
.
м по аложении ключей, показ
я частота
0
f определяется начальными
0
C и индуктивност
0
L , т. е.
и
00
0
2
1
CL
f
π
= . (4.1)
В схемах 1-го типа конденсаторы в магазине емкостей
подключаются параллельно, а катушки в магазине индуктив-
ностей соединены последовательно. Поэтому при размыкании
ключей в схеме 1, а и замыкании контактов в схеме 1, б ем-
кость или индуктивность контура уменьшаются, т. е. резо-
нансные частоты могут быть выражены в виде
⎪
⎪
⎭
⎪
⎪
⎬
⎫
Δ−π
=
Δ−π
=
,
)(2
1
,
)(2
1
0min0
0
min00
0
CLiL
f
CiCL
f
i
i
(4.2)
где I – некоторое число, определяемое положением ключей в
схеме коммутации;
min
C
Δ
и
min
L
Δ
– наименьший скачок соот-
ветственно емкости и индуктивности.
Относительное изменение частоты перестройки, называе-
мое настроечной характеристикой контура, можно записать так:
⎪
⎪
⎭
0
L
⎪
⎪
⎪
⎪
⎪
⎪
⎬
⎫
−
=
Δ
=
−
=
Δ
−
=
,
'1
11
,
'1
1
1
1
0
0
C
0
min
0
0
i
i
ikL
f
f
ik
C
C
i
f
f
(4.3)
−1
min L
i
74
нах емкостей и индуктивностей. При схемах 2-го типа катуш-
ки соединены параллельно (тип 2, а), а конденсаторы – после-
довательно (тип 2, б). В комбинированных схемах 3-го
и 4-го типов одновременно коммутируются как катушки, так
и конденсаторы.
    В начальном положении ключей, показанных на рис. 8,
резонансная частота f 0 определяется начальными значения-
ми емкости C0 и индуктивности L0 , т. е.
                                       1
                          f0 =                 .           (4.1)
                                   2π L0 C0
    В схемах 1-го типа конденсаторы в магазине емкостей
подключаются параллельно, а катушки в магазине индуктив-
ностей соединены последовательно. Поэтому при размыкании
ключей в схеме 1, а и замыкании контактов в схеме 1, б ем-
кость или индуктивность контура уменьшаются, т. е. резо-
нансные частоты могут быть выражены в виде
                                       1       ⎫
                 f 0i =                       ,⎪
                        2π L0 (C0 − iΔC min ) ⎪
                                               ⎬           (4.2)
                                 1
                 f 0i =                      ,⎪
                        2π ( L0 − iΔLmin )C0 ⎪⎭
где I – некоторое число, определяемое положением ключей в
схеме коммутации; ΔC min и ΔLmin – наименьший скачок соот-
ветственно емкости и индуктивности.
    Относительное изменение частоты перестройки, называе-
мое настроечной характеристикой контура, можно записать так:
               f 0i            1                   1 ⎫
                    =                      =        ,⎪
               f0              ΔCmin     1 − ik 'C ⎪
                        1− i
                                C0                   ⎪⎪
                                                      ⎬    (4.3)
               f 0i            1            1
                    =                  =           ,⎪
               f0              ΔLmin     1 − ik ' L ⎪
                        1− i                          ⎪
                                L0                    ⎭⎪
                                     74

Страницы