Прием и обработка информации. Бакеев Д.А - 94 стр.

UptoLike

Чем меньше общее сопротивление делителя
R
б1
и R
б2
, тем
меньше потенциал базы зависит от изменений базового тока и
тем
т
R R ш R
лово о тока).
и-
тель
е 1 0
лучше стабилизация. Но при малых его значениях резко
возрастает мощность, потребляемая от источника питания, и
уменьшается входное сопротивление каскада. Поэтому обычно
выбираю R
б1
||
б2
э
или боль е
э
. Получаемый при этом
коэффициент нестабильности
S 2…5 (коэффициент темпера-
турной нестабильности показывает, во сколько раз изменение
коллекторного тока, вызванное изменением температуры,
больше, чем приращение неуправляемого теп г
Если необходимо иметь стабильный режим по постоян-
ному току и максимальное усиление на переменном токе, то
вводят достаточно глубокую ОС за счет увеличения сопро-
тивления резистора
R
э
. Устраняют ОС на переменном токе
шунтированием
R
э
конденсатором большой емкости С
э
, вы-
бирая ее так, чтобы реактивное сопротивление конденсатора в
диапазоне рабочих частот было близко к нулю.
В каскадах на полевых транзисторах смещение обеспечи-
вается или за счет падения напряжения на резисторе, вклю-
ченном в цепь истока, или за счет подачи на затвор дополн
ного напряжения. У полевых транзисторов с
управляющим
р–n-переходом и встроенным каналом смеще-
ние может быть обеспечено за счет сопротивления в цепи ис-
тока. Так как ток затвора полевых транзисторов достаточно
мал и мало падение напряжения на резисторе
R
з
, то можно
считать, что напряжение затвористок практически равно
падению напряжения на сопротивлении
R
и
:
U
зио
I
со
R
и
.
При необходимости иметь повышенное входное сопро-
тивление б рут
R
з
порядка …1 МОм.
Следует отметить, что температурные изменения тока
стока в полевых транзисторах во много раз меньше измене-
ний коллекторного тока у биполярных транзисторов. Поэто-
му, как правило, обеспечение требуемой температурной ста-
бильности не вызывает больших затруднений.
94
    Чем меньше общее сопротивление делителя Rб1 и Rб2, тем
меньше потенциал базы зависит от изменений базового тока и
тем лучше стабилизация. Но при малых его значениях резко
возрастает мощность, потребляемая от источника питания, и
уменьшается входное сопротивление каскада. Поэтому обычно
выбирают Rб1||Rб2 ≈ Rэ или больше Rэ. Получаемый при этом
коэффициент нестабильности S ≈ 2…5 (коэффициент темпера-
турной нестабильности показывает, во сколько раз изменение
коллекторного тока, вызванное изменением температуры,
больше, чем приращение неуправляемого теплового тока).
    Если необходимо иметь стабильный режим по постоян-
ному току и максимальное усиление на переменном токе, то
вводят достаточно глубокую ОС за счет увеличения сопро-
тивления резистора Rэ. Устраняют ОС на переменном токе
шунтированием Rэ конденсатором большой емкости Сэ, вы-
бирая ее так, чтобы реактивное сопротивление конденсатора в
диапазоне рабочих частот было близко к нулю.
    В каскадах на полевых транзисторах смещение обеспечи-
вается или за счет падения напряжения на резисторе, вклю-
ченном в цепь истока, или за счет подачи на затвор дополни-
тельного напряжения. У полевых транзисторов с
управляющим р–n-переходом и встроенным каналом смеще-
ние может быть обеспечено за счет сопротивления в цепи ис-
тока. Так как ток затвора полевых транзисторов достаточно
мал и мало падение напряжения на резисторе Rз, то можно
считать, что напряжение затвор – исток практически равно
падению напряжения на сопротивлении Rи:
                       Uзио ≈ Iсо Rи.
    При необходимости иметь повышенное входное сопро-
тивление берут Rз порядка 1…10 МОм.
    Следует отметить, что температурные изменения тока
стока в полевых транзисторах во много раз меньше измене-
ний коллекторного тока у биполярных транзисторов. Поэто-
му, как правило, обеспечение требуемой температурной ста-
бильности не вызывает больших затруднений.


                            94