Составители:
Чем меньше общее сопротивление делителя
R
б1
и R
б2
, тем
меньше потенциал базы зависит от изменений базового тока и
тем
т
R R ш R
лово о тока).
и-
тель
е 1 0
лучше стабилизация. Но при малых его значениях резко
возрастает мощность, потребляемая от источника питания, и
уменьшается входное сопротивление каскада. Поэтому обычно
выбираю R
б1
||
б2
≈
э
или боль е
э
. Получаемый при этом
коэффициент нестабильности
S ≈ 2…5 (коэффициент темпера-
турной нестабильности показывает, во сколько раз изменение
коллекторного тока, вызванное изменением температуры,
больше, чем приращение неуправляемого теп г
Если необходимо иметь стабильный режим по постоян-
ному току и максимальное усиление на переменном токе, то
вводят достаточно глубокую ОС за счет увеличения сопро-
тивления резистора
R
э
. Устраняют ОС на переменном токе
шунтированием
R
э
конденсатором большой емкости С
э
, вы-
бирая ее так, чтобы реактивное сопротивление конденсатора в
диапазоне рабочих частот было близко к нулю.
В каскадах на полевых транзисторах смещение обеспечи-
вается или за счет падения напряжения на резисторе, вклю-
ченном в цепь истока, или за счет подачи на затвор дополн
ного напряжения. У полевых транзисторов с
управляющим
р–n-переходом и встроенным каналом смеще-
ние может быть обеспечено за счет сопротивления в цепи ис-
тока. Так как ток затвора полевых транзисторов достаточно
мал и мало падение напряжения на резисторе
R
з
, то можно
считать, что напряжение затвор – исток практически равно
падению напряжения на сопротивлении
R
и
:
U
зио
≈ I
со
R
и
.
При необходимости иметь повышенное входное сопро-
тивление б рут
R
з
порядка …1 МОм.
Следует отметить, что температурные изменения тока
стока в полевых транзисторах во много раз меньше измене-
ний коллекторного тока у биполярных транзисторов. Поэто-
му, как правило, обеспечение требуемой температурной ста-
бильности не вызывает больших затруднений.
94
Чем меньше общее сопротивление делителя Rб1 и Rб2, тем меньше потенциал базы зависит от изменений базового тока и тем лучше стабилизация. Но при малых его значениях резко возрастает мощность, потребляемая от источника питания, и уменьшается входное сопротивление каскада. Поэтому обычно выбирают Rб1||Rб2 ≈ Rэ или больше Rэ. Получаемый при этом коэффициент нестабильности S ≈ 2…5 (коэффициент темпера- турной нестабильности показывает, во сколько раз изменение коллекторного тока, вызванное изменением температуры, больше, чем приращение неуправляемого теплового тока). Если необходимо иметь стабильный режим по постоян- ному току и максимальное усиление на переменном токе, то вводят достаточно глубокую ОС за счет увеличения сопро- тивления резистора Rэ. Устраняют ОС на переменном токе шунтированием Rэ конденсатором большой емкости Сэ, вы- бирая ее так, чтобы реактивное сопротивление конденсатора в диапазоне рабочих частот было близко к нулю. В каскадах на полевых транзисторах смещение обеспечи- вается или за счет падения напряжения на резисторе, вклю- ченном в цепь истока, или за счет подачи на затвор дополни- тельного напряжения. У полевых транзисторов с управляющим р–n-переходом и встроенным каналом смеще- ние может быть обеспечено за счет сопротивления в цепи ис- тока. Так как ток затвора полевых транзисторов достаточно мал и мало падение напряжения на резисторе Rз, то можно считать, что напряжение затвор – исток практически равно падению напряжения на сопротивлении Rи: Uзио ≈ Iсо Rи. При необходимости иметь повышенное входное сопро- тивление берут Rз порядка 1…10 МОм. Следует отметить, что температурные изменения тока стока в полевых транзисторах во много раз меньше измене- ний коллекторного тока у биполярных транзисторов. Поэто- му, как правило, обеспечение требуемой температурной ста- бильности не вызывает больших затруднений. 94
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 92
- 93
- 94
- 95
- 96
- …
- следующая ›
- последняя »