Прием и обработка информации. Бакеев Д.А - 97 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

КамчатГТУ | Петропавловск-Камчатский

Составители: 

Рубрика: 

Расчет схемы усилителя по переменному току на сиг-
нальной (УЧПС) и промежуточной (УПЧ) частоте изложен в
соответствующих разделах.
Исходные данные для расчета:
–
параметры транзистора (β
0
, r
э
, r
б
, C
к
,
β
);
–
сопротивление источника сигнала R
г
;
–
сопротивления резисторов делителя смещения в цепи
базы
эквивалентных парамет-
исторов нахо-
раметры можно
ое сопротивление эмиттерного перехода r
э
R
б1
и R
б2
;
–
сопротивление резистора в цепи коллектора R
к
;
–
сопротивление резистора в цепи эмиттера R
э
;
–
сопротивление нагрузки R
н
;
–
емкость нагрузки C
н
.
Типовые значения физических и
ров для выбранных типов высокочастотных транз
дят по справочной литературе. Некоторые па
вычислить по параметрам режима транзистора. Так, например,
дифференциальн
(в Ом), можно рассчитать по приближенной формуле
)мA(
26
r ≈
мB
э
.
э
I
Например, при I = 1 мА r
э
= 26 Ом.
5.2. Расчет резонансных цепей
5.2.1. Расчет параметров резонансного контура
Расчет индуктивности, емкости и резонансной частоты
производится по следующим формул : ам
L = 2,53 ⋅ 10
10
/f
о
2
⋅ C, (5.1)
f
о
= 159 ⋅ 10
3
/ CL ⋅ , (5.2)
λ = 3 ⋅ 10
5
/f , (5.3)
о о
где L – индуктивность контура, контура, мкГн; С – емкость
f
о
– частота настройки, кГц; λ
о
– длина волны, м. пФ;
Добротность контура определяется как
97
    Расчет схемы усилителя по переменному току на сиг-
нальной (УЧПС) и промежуточной (УПЧ) частоте изложен в
соответствующих разделах.
    Исходные данные для расчета:
    – параметры транзистора (β0, rэ, rб, Cк,β);
    – сопротивление источника сигнала Rг;
    – сопротивления резисторов делителя смещения в цепи
базы Rб1 и Rб2;
    – сопротивление резистора в цепи коллектора Rк;
    – сопротивление резистора в цепи эмиттера Rэ;
    – сопротивление нагрузки Rн;
    – емкость нагрузки Cн.
    Типовые значения физических и эквивалентных парамет-
ров для выбранных типов высокочастотных транзисторов нахо-
дят по справочной литературе. Некоторые параметры можно
вычислить по параметрам режима транзистора. Так, например,
дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода rэ
(в Ом), можно рассчитать по приближенной формуле
                               26 мB
                        rэ ≈             .
                               I э (мA )
   Например, при I = 1 мА rэ = 26 Ом.


              5.2. Расчет резонансных цепей

    5.2.1. Расчет параметров резонансного контура
    Расчет индуктивности, емкости и резонансной частоты
производится по следующим формулам:
                   L = 2,53 ⋅ 1010/fо2 ⋅ C,        (5.1)
                  fо = 159 ⋅ 103/ L ⋅ C ,            (5.2)
                     λо = 3 ⋅ 105/fо,                (5.3)
где L – индуктивность контура, мкГн; С – емкость контура,
пФ; fо – частота настройки, кГц; λо – длина волны, м.
    Добротность контура определяется как

                               97

Страницы