Материалы для акустоэлектронных устройств. Балышева О.Л. - 25 стр.

UptoLike

Составители: 

Рубрика: 

25
29 дБ/мкс для ортофосфата галлия. Данные результаты показали,
что в рассматриваемом диапазоне частот возможно использовать
только ниобат лития, а применение двух других материалов огра!
ничено высоким затуханием.
Затухание ПАВ зависит от состояния поверхности подложки.
Наличие трещин, неровностей, царапин, присутствие веществ, заг!
рязняющих поверхность (жир и т. д.), также вызывает дополни!
тельное затухание, поэтому в процессе изготовления подложки
должны быть тщательно отшлифованы и очищены. Затухание ПАВ
уменьшается при охлаждении материала.
4.6. Параметры, характеризующие дифракцию
Аналогично дифракции света в оптических структурах наблю!
дается дифракция ПАВ, излученных преобразователем конечной
апертуры (рис. 11). Дифракция приводит к расхождению пучка
ПАВ и потере части энергии акустических волн. Следствием диф!
ракционных эффектов служит рост вносимых потерь АЭУ. Наи!
Рис. 10. Зависимость потерь от частоты при распространении ПАВ
на поверхности монокристаллов ниобата лития, лангасита
и ортофосфата галлия [13]
f, ГГц
b
м
,
дБ/мкс
100
30
10
3
1
0,3
0,1
0,03
0,4 1,0 2,0 4,0
GaPО
4
La
3
Ga
5
SiO
14
LiNbO
3