Составители:
2. Каковы характер и степень искаженности кристаллической решетки
вокруг вакансий и межузельных атомов?
3. Какую энергию называют энергией образования вакансий и меж-
узельных атомов? От чего и как зависит равновесная концентрация этих
дефектов?
4. Что понимают под энергией миграции точечных дефектов? Каковы
основные механизмы их миграции?
5. Какие комплексы и почему могут образовывать точечные дефекты?
6. Как могут возникать и исчезать точечные дефекты? Какие участки
кристаллической решетки играют роль источников и стоков точечных де-
фектов?
7. На чем основаны методы определения концентрации вакансий, энергии
их образования и миграции?
1.2.2.5. Дислокации, их движение и упругие свойства
[2], с. 148...170, 172…178, 183...193, или [5], с. 75...103, 106...115, 175...179
Теоретическая и реальная прочность кристаллов. Понятие дислокации.
Краевые, винтовые и смешанные дислокации. Движение дислокаций. Контур и
вектор Бюргерса дислокаций. Плотность дислокаций. Поле упругих напряжений
и упругая энергия дислокаций. Силы, действующие на дислокации. Упругое
взаимодействие дислокаций.
Вопросы для самопроверки
1. Чем обусловлено появление понятия «дислокация»? Что представляют
собой дислокации?
2. Какие дислокации называют краевыми, какие — винтовыми и какие —
смешанными? Чем они различаются?
3. Каким образом осуществляется обычное скольжение краевых, вин-
товых и смешанных дислокаций?
4. В чем состоит поперечное и множественное поперечное скольжение
винтовых дислокаций?
5. Какое перемещение дислокаций называют переползанием? Какими
механизмами оно может осуществляться?
6. Что такое вектор Бюргерса? Каковы основные особенности вектора
Бюргерса дислокаций?
7. Что понимают под плотностью дислокаций? От чего и как зависит эта
характеристика?
8. От чего и как зависит энергия дислокаций? Какую величину называют
линейным натяжением дислокации?
9. Чему равна и как направлена сила, действующая на единицу длины
дислокации?
10
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 8
- 9
- 10
- 11
- 12
- …
- следующая ›
- последняя »
