Составители:
1.3. Тематический план лекций для студентов
очно-заочной формы обучения
( 40 часов)
1. Физико-химические основы материаловедения…………………… 4 часа
2. Классификация дефектов кристаллической решетки.
Точечные дефекты. Краевые, винтовые и смешанные дислокации………… - “ -
3. Движение дислокаций. Вектор Бюргерса дислокаций. Упругие
свойства и упругое взаимодействие дислокаций… ………………………….. - “ -
4. Дислокации и дефекты упаковки в ГЦК решетке. Пересечение
дислокаций. Взаимодействие дислокаций с вакансиями, межузельными
и примесными атомами ………………………………………………………… - “ -
5. Образование дислокаций. Дислокационные системы и границы
раздела …………………………………………………………………………… - “ -
6. Строение твердых фаз в металлических сплавах.
Кристаллизация расплавов. Наклеп и рекристаллизация.……………………. - “ -
7. Диаграммы состояния двойных и тройных систем и структура
сплавов …………………………………………………………………………… - “ -
8. Неравновесная кристаллизация. Фазовые превращения
в твердом состоянии …………………………………………………………….. - “ -
9. Диаграммы состояний и структура сплавов железа с углеродом…… - “ -
10. Строение неметаллических материалов …………………………….. - “ -
1.4. Перечень тем практических занятий
(12 часов)
1. Определение кристаллографических индексов и построение
стереографических и гномостереографических проекций направлений
и плоскостей в кристаллах……………………………………………………. 2 часа
2. Решение кристаллографических задач с помощью сетки Вульфа… - “ -
3. Определение элементов симметрии и классов симметрии
на моделях кристаллографических многогранников………………………… - “ -
4. Выбор элементарных ячеек и определение характеристик
кристаллических решеток на моделях кристаллических структур………… 2 часа
5. Определение плотнейших упаковок, заполнения пустот
и координационных полиэдров на моделях кристаллических структур……. - “ -
6. Анализ полей напряжений дислокаций и парных упругих
взаимодействий параллельных дислокаций…………………………………... - “ -
23
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 21
- 22
- 23
- 24
- 25
- …
- следующая ›
- последняя »
