Материаловедение. Конспект лекций. Барышев Г.А. - 28 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

а) б)

Рис. 3. Схема для

определения скалывающего

напряжения при действии

растягивающей силы

Рис. 4. Схема сдвига (а) и

двойникования (б)

При сдвиге части кристалла смещаются как минимум на один пе-

риод решётки, например 2а. При двойниковании смещения атомов про-

исходят плавно от одной плоскости к другой, например, в одной плоско-

сти – 0,5, в соседней – 1,0, в следующей – 1,5 периода решётки. Получа-

ется зеркальное отражение одной части кристалла относительно другой.

3. МЕХАНИЗМ ПЛАСТИЧЕСКОЙ ДЕФОРМАЦИИ

Если смещение осуществляется жёстким сдвигом – одновремен-

ным смещением всех атомов по всей плоскости скольжения, то напря-

жения должны превышать действительные скалывающие напряжения

в тысячу раз. Такое несоответствие расчётных и действительных

(реальных) объясняет теория дислокаций (рис. 5).

Рис. 5. Зависимость скалывающего напряжения τ

ττ

τ от деформации x

при жёстком сдвиге