ВУЗ:
Составители:
9
Как и в других случаях решающим является минимум свободных
энергий, при котором данная кристаллическая решётка становится ус-
тойчивой. При температуре больше Т
1
меньше свободная энергия (Z) в
ОЦК решётке, она и существует при этих температурах.
5. ДЕФЕКТЫ КРИСТАЛЛОВ
Строение реальных кристаллов отличается от идеальных. В ре-
альных кристаллах всегда содержатся дефекты, которые подразделя-
ются на точечные, линейные, поверхностные и объёмные. Дефекты
имеют различные размеры. У точечных размеры близки к атомным, у
линейных длина на несколько порядков больше ширины, объёмные
дефекты (поры, трещины) могут иметь макроскопические размеры.
1. Точечные дефекты – вакансии, междоузельные атомы основ-
ного вещества, чужеродные атомы внедрения (рис. 10).
а) б) в)
Рис. 10. Точечные дефекты в кристаллической решётке:
а – вакансия; б – междоузельный атом; в – примесный атом внедрения
Вакансии и междоузельные атомы появляются в металлах всегда
из-за тепловых колебаний. Количество их зависит от температуры.
Например, у меди при комнатных температурах содержится 10…13%
(ат.), вблизи температуры плавления – 0,01% (ат.). Вакансии искажают
кристаллическую решётку, влияют на физические свойства металлов.
2. Линейные дефекты: важнейшими линейными дефектами яв-
ляются краевые и винтовые дислокации (рис. 11).
Краевая дислокация в сечении, перпендикулярном линии дисло-
кации, представляет собой край лишней полуплоскости в решётке.
Вокруг такого дефекта решётка искажена. Мерой искажения служит
вектор Бюргерса (рис. 12). Его можно представить следующим образом:
в кристалле, где нет дефектов, проход от узла к узлу по кругу с задан-
ным шагом замыкает контур (рис. 12, а). В месте, где есть дефект, про-
ход завершается тем, что появится в контуре незамкнутый участок
(рис. 12, б). Этот участок БА называют вектором Бюргерса (
b
r
). У крае-
вой дислокации вектор перпендикулярен дислокации, у винтовой –
параллелен.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 7
- 8
- 9
- 10
- 11
- …
- следующая ›
- последняя »