ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
12
Так же возможно использование карбида кремния (SiC). Очень перспек-
тивен нитрид галлия (GaN), который имеет большую ширину запретной зоны Е
= 3,4 эВ, и поэтому энергии квантов света, возникающих в этом материале при
рекомбинации носител ей заряда, могут перекрывать всю видимую облас ть
спектра.
Внутренний и внешний квантовый выход
Вну тренний квантовый выход – отношение числа излученных фотонов к
числу рекомбинированных пар носителей:
пар
Ф
внутр
N
N
=
η
. (5)
В идеале
внутр
η
= 100%, но из-за наличия безизлучательных переходов ре-
ально он меньше (и значительно).
На илучшими с точки зрения
внутр
η
являются светодиоды из GaAs (
внутр
η
близок к 100%). В светодиодах на основе других материалов
внутр
η
меньше
значительно, но и при таких значениях этого достаточно для практического ис-
пользования. Аналогично
внутр
η
определяется и внешний квантовый выход
внеш
η
. Вн ешни й квантовый выход – отношение числа фотонов, вышедших из
светодиода, к числу излученных фотонов:
Ф
внеш
N
N
=
η
. (6)
Конструкция и технология изготовления
Даже при высоком внутреннем квантовом выходе внешний квантовый
выход светодиодов оказывается значительно ниже, т. к. из-за высокого показа-
тел я преломления полупроводника большая часть квантов света испытывает
полное внутреннее отражение на границе раздела полупроводника с окружаю-
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 10
- 11
- 12
- 13
- 14
- …
- следующая ›
- последняя »
