Физические основы электроники. Базир Г.И. - 15 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

Площадь излучающего p-n-перехода примерно равна 1

мм ; ток питания I

имеет величину порядка 10-50 мА.

Светодиоды могут им еть один переход или несколько переходов (мат-

ричные светодиоды).

Разновидностью светодиода является светодиод с управляемой геометри-

ей светящегося поля (управляемый светодиод).

пр

Область n-типа низкоомна и поэтому является эквипотенциальной. Об-

ласть p-ти па сравнительно высокоомна и поэтому, при пр иложении внеш них

напряжений не будет эквипотенциальной. Распределение потенциала в p-

области будет зависеть от напряжения, поданного на управляющий электрод, а

от напряжения, поданного на управляющий электрод, будет зависеть и размер

светящегося поля.

Такие светодиоды

могут быть использованы в качестве индикаторов на-

стройки транзис торных приёмников, в качестве различных шкал и т. д.

Основной метод формирования p-n-переходов при создании светодиодов

на основе GaP и GaAs – метод эпитаксии:

а) жидкофазная эпитаксия; б) газофазная эпитаксия.

B S iC чаще используется метод диффузии примесей. Гораздо реже ис-

пользуются методы планарной технологии, позволяющие получать p-n-

переходы

различ ной конфигурации.