ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
15
Площадь излучающего p-n-перехода примерно равна 1
2
мм ; ток питания I
имеет величину порядка 10-50 мА.
Светодиоды могут им еть один переход или несколько переходов (мат-
ричные светодиоды).
Разновидностью светодиода является светодиод с управляемой геометри-
ей светящегося поля (управляемый светодиод).
U
пр
I
y
U
0
Область n-типа низкоомна и поэтому является эквипотенциальной. Об-
ласть p-ти па сравнительно высокоомна и поэтому, при пр иложении внеш них
напряжений не будет эквипотенциальной. Распределение потенциала в p-
области будет зависеть от напряжения, поданного на управляющий электрод, а
от напряжения, поданного на управляющий электрод, будет зависеть и размер
светящегося поля.
Такие светодиоды
могут быть использованы в качестве индикаторов на-
стройки транзис торных приёмников, в качестве различных шкал и т. д.
Основной метод формирования p-n-переходов при создании светодиодов
на основе GaP и GaAs – метод эпитаксии:
а) жидкофазная эпитаксия; б) газофазная эпитаксия.
B S iC чаще используется метод диффузии примесей. Гораздо реже ис-
пользуются методы планарной технологии, позволяющие получать p-n-
переходы
различ ной конфигурации.
P
+
n
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 13
- 14
- 15
- 16
- 17
- …
- следующая ›
- последняя »