ВУЗ:
Составители:
51
В заключение данного раздела хочу еще раз вернуться к во-
просу выбора оптимального источника излучения для ВОСП. Те-
перь уже совершенно очевидно, что в не очень упорной конку-
рентной борьбе все-таки победили полупроводниковые лазеры,
хотя степень их монохроматичности, расходимость выходящего
пучка, мощность излучения значительно уступают, например,
твердотельным лазерам. Решающую роль здесь сыграли три от-
личительные черты полупроводниковых лазеров:
• миниатюрность;
• простота способа создания инверсной населенности
(иначе, накачки);
• простота и высокая достижимая скорость модуляции.
2.3 Ключевые параметры полупроводниковых
лазерных излучателей
Согласно ГОСТ Р 51106-97 полупроводниковый лазерный
излучатель характеризуется комплексом взаимосвязанных элек-
трических, энергетических, модуляционных, спектральных, про-
странственных, преобразовательных и шумовых параметров.
Например, электрические параметры: падение напряжения на от-
крытом переходе, максимальное обратное напряжение и т.д.
определяются, как и для обычного диода, по вольт-амперной ха-
рактеристике. Кратко рассмотрим ключевые характеристики по-
лупроводникового лазера.
Энергетическая характеристика
Энергетические характеристики или, как их называют, ватт-
амперные характеристики реальных лазерных излучателей пока-
заны на рис. 26. Здесь по оси абсцисс отложен постоянный ток
смещения лазера в мА, по оси ординат – выходная оптическая
мощность в мВт. Характерным для всех лазеров является наличие
порогового тока
1
, при котором начинается лазерная генерация.
1
Отмечу, что однозначное определение порогового тока отсутствует. Обычно его
характеризуют как точку пересечения продолжения ватт-амперной характеристики и
оси абцисс, как это показано на рис. 27, а. Более корректным является расчет величины
51 В заключение данного раздела хочу еще раз вернуться к во- просу выбора оптимального источника излучения для ВОСП. Те- перь уже совершенно очевидно, что в не очень упорной конку- рентной борьбе все-таки победили полупроводниковые лазеры, хотя степень их монохроматичности, расходимость выходящего пучка, мощность излучения значительно уступают, например, твердотельным лазерам. Решающую роль здесь сыграли три от- личительные черты полупроводниковых лазеров: • миниатюрность; • простота способа создания инверсной населенности (иначе, накачки); • простота и высокая достижимая скорость модуляции. 2.3 Ключевые параметры полупроводниковых лазерных излучателей Согласно ГОСТ Р 51106-97 полупроводниковый лазерный излучатель характеризуется комплексом взаимосвязанных элек- трических, энергетических, модуляционных, спектральных, про- странственных, преобразовательных и шумовых параметров. Например, электрические параметры: падение напряжения на от- крытом переходе, максимальное обратное напряжение и т.д. определяются, как и для обычного диода, по вольт-амперной ха- рактеристике. Кратко рассмотрим ключевые характеристики по- лупроводникового лазера. Энергетическая характеристика Энергетические характеристики или, как их называют, ватт- амперные характеристики реальных лазерных излучателей пока- заны на рис. 26. Здесь по оси абсцисс отложен постоянный ток смещения лазера в мА, по оси ординат – выходная оптическая мощность в мВт. Характерным для всех лазеров является наличие порогового тока1, при котором начинается лазерная генерация. 1 Отмечу, что однозначное определение порогового тока отсутствует. Обычно его характеризуют как точку пересечения продолжения ватт-амперной характеристики и оси абцисс, как это показано на рис. 27, а. Более корректным является расчет величины
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 49
- 50
- 51
- 52
- 53
- …
- следующая ›
- последняя »