Компоненты волоконно-оптических систем. Белкин М.Е. - 51 стр.

UptoLike

Составители: 

51
В заключение данного раздела хочу еще раз вернуться к во-
просу выбора оптимального источника излучения для ВОСП. Те-
перь уже совершенно очевидно, что в не очень упорной конку-
рентной борьбе все-таки победили полупроводниковые лазеры,
хотя степень их монохроматичности, расходимость выходящего
пучка, мощность излучения значительно уступают, например,
твердотельным лазерам. Решающую роль здесь сыграли три от-
личительные черты полупроводниковых лазеров:
миниатюрность;
простота способа создания инверсной населенности
(иначе, накачки);
простота и высокая достижимая скорость модуляции.
2.3 Ключевые параметры полупроводниковых
лазерных излучателей
Согласно ГОСТ Р 51106-97 полупроводниковый лазерный
излучатель характеризуется комплексом взаимосвязанных элек-
трических, энергетических, модуляционных, спектральных, про-
странственных, преобразовательных и шумовых параметров.
Например, электрические параметры: падение напряжения на от-
крытом переходе, максимальное обратное напряжение и т.д.
определяются, как и для обычного диода, по вольт-амперной ха-
рактеристике. Кратко рассмотрим ключевые характеристики по-
лупроводникового лазера.
Энергетическая характеристика
Энергетические характеристики или, как их называют, ватт-
амперные характеристики реальных лазерных излучателей пока-
заны на рис. 26. Здесь по оси абсцисс отложен постоянный ток
смещения лазера в мА, по оси ординат выходная оптическая
мощность в мВт. Характерным для всех лазеров является наличие
порогового тока
1
, при котором начинается лазерная генерация.
1
Отмечу, что однозначное определение порогового тока отсутствует. Обычно его
характеризуют как точку пересечения продолжения ватт-амперной характеристики и
оси абцисс, как это показано на рис. 27, а. Более корректным является расчет величины
                                         51

     В заключение данного раздела хочу еще раз вернуться к во-
просу выбора оптимального источника излучения для ВОСП. Те-
перь уже совершенно очевидно, что в не очень упорной конку-
рентной борьбе все-таки победили полупроводниковые лазеры,
хотя степень их монохроматичности, расходимость выходящего
пучка, мощность излучения значительно уступают, например,
твердотельным лазерам. Решающую роль здесь сыграли три от-
личительные черты полупроводниковых лазеров:
     •    миниатюрность;
     •    простота способа создания инверсной населенности
(иначе, накачки);
     •    простота и высокая достижимая скорость модуляции.

         2.3 Ключевые параметры полупроводниковых
                   лазерных излучателей

     Согласно ГОСТ Р 51106-97 полупроводниковый лазерный
излучатель характеризуется комплексом взаимосвязанных элек-
трических, энергетических, модуляционных, спектральных, про-
странственных, преобразовательных и шумовых параметров.
Например, электрические параметры: падение напряжения на от-
крытом переходе, максимальное обратное напряжение и т.д.
определяются, как и для обычного диода, по вольт-амперной ха-
рактеристике. Кратко рассмотрим ключевые характеристики по-
лупроводникового лазера.

    Энергетическая характеристика
    Энергетические характеристики или, как их называют, ватт-
амперные характеристики реальных лазерных излучателей пока-
заны на рис. 26. Здесь по оси абсцисс отложен постоянный ток
смещения лазера в мА, по оси ординат – выходная оптическая
мощность в мВт. Характерным для всех лазеров является наличие
порогового тока1, при котором начинается лазерная генерация.
    1
      Отмечу, что однозначное определение порогового тока отсутствует. Обычно его
характеризуют как точку пересечения продолжения ватт-амперной характеристики и
оси абцисс, как это показано на рис. 27, а. Более корректным является расчет величины