Интегральные устройства РЭ. Белова И.В. - 25 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

Лабораторная работа №2

ИССЛЕДОВАНИЕ АКУСТОЭЛЕКТРОННОГО ФИЛЬТРА НА ПАВ

ВВЕДЕНИЕ

В основе расчета и конструирования устройств на ПАВ лежит представ-

ление об однозначной связи между топологией электродной структуры устрой-

ства с его электрическими характеристиками. Для широко используемой в

практике проектирования устройств на ПАВ модели

- источников (см. лаб.

раб.№1) предполагается, что каждый электрод или пара электродов ВШП яв-

ляются независимыми источниками ПАВ, а каждый источник соответствует от-

счету (выборке) импульсной характеристики. Такое приближение соответс тву-

ет модели первого порядка, позволяет рассматривать ВШП как трансверсаль-

ный фильтр и использовать для синтеза устройств на ПАВ методы расчета

цифровых фильтров, такие как «оконных функций», частотной выборки и т.д.

Однако на практике параметры устройств на ПАВ часто не совпадают с

расчетными. Как правило, это объясняется эффектами второго порядка. Под

этими эффектами понимают все механизмы и явления, из-за которых происхо-

дят отклонения и искажения характеристик устройств на ПАВ от

соотношений,

описываемых моделью первого порядка. Эффекты второго порядка влияют на

импульсную характеристику, АЧХ и ФЧХ, уровень затухания сигнала и другие

параметры устройств на ПАВ.

По механизмам воздействия эффекты второго порядка могут быть клас-

сифицированы следующим образом.

1. Электростатические эффекты: неоднородность распределения поверх-

ностного заряда по ширине и апертуре электродов преобразователя; зависи

мость распределения заряда от тополог ии преобразователя и расположения

электродов в преобразователе.