Интегральные устройства РЭ. Белова И.В. - 82 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

63
ределяет размер ЦМД в данном материале. Эти параметры связаны
между собой отношениями (4.1, 4.3).
Пр и выборе ЦМД – материала независимыми обычно являются парамет-
ры А, l, Q. Комбинируя вышеприведенные соотношения, получим:
К
одн
= 4Q
2
A/l
2
(4.8)
M = (8AQ/
μ
0
l
2
)
1/2
(4.9)
Постоянная А слабо зависит от типа материала. В частности, для феррит –
гранатов ее значение обычно находится в пределах 1,5…3,7 пДж/м, оптималь-
ное значение А = 2пДж/м. Уменьшение А приводит к снижению термостабиль-
ности, а ее повышение к росту М, Н
0
, Н
уп р
.
Пар аме тр l определяет размер ЦМД в данном материале, связанный в
свою очередь с разрешающей способностью литографии, применяющейся в
процессе изготовления ЗУ на ЦМД.
Значение фактора качества Q лежит в пределах Q = 2…6, выбирают его
значение из компромиссных соображений: с увеличением Q повышается устой-
чивость, но снижается подвижность ЦМД. Минимально допустимое значение
Q
определяется эмпирическим соотношением
Q
мин
= М
-0 , 6
(4.10)
Толщина МПФГ обычно лежит в пределах h = 3l…9l. Минимальный диа-
метр ЦМД в центре ОУР достигается при толщине пленки h = 4l, но при h = 9l
увеличивается считывающий сигнал и расширяется ОУР ЦМД.
Из (4.8, 4.9) вытекают два соотношения, позволяющих разделить влияние
К (в кДж/м
3
) и М(в кА/м) на параметры ЦМД:
Q/l = 16(K/A)
1/2
(4.11)

Страницы