ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
11
Трехфазная мостовая схема выпрямления имеет коэффициент пульсации
К
п
=5,7%, поэтому этот выпрямитель не нуждается в фильтрующей емкости. Эта
схема выпрямления применяется при больших мощностях нагрузки.
Для ограничения тока заряда I
зmax
до допустимого уровня тока перегрузки
I
пер
выпрямительных диодов в цепь заряда включают токоограничительный ре-
зистор R
0
, сопротивление которого определяют из соотношения:
,
пер
I
maxcm
U
0
R = (3.6)
где U
cm. max
– максимальное значение амплитуды сетевого напряжения, значение
I
пер
выбирается из справочника I
пер
= I
пр.имп
Введение R
0
снижает КПД выпрямителя, что не позволяет применять его
в источниках средней и большой мощности.
Вводить резистор в ИИВЭ целесообразно лишь при выходной мощности
до 50 Вт. Одним из путей повышения КПД СВ является шунтирование R
0
c по-
мощью тиристора или транзистора. Когда U
0
достигнет максимума, резистор R
0
шунтируется малым сопротивлением указанных полупроводниковых приборов.
На рис. 3.2 показана схема устройств плавного включения.
Основные параметры для выбора вентилей находятся из следующих вы-
ражений.
Среднее значение тока через вентиль и величина обратного напряжения
на неработающие вентили:
трехфазная мостовая схема –
,
3
0
I
амз
I = ;32 ⋅=
c
U
обртз
U (3.7)
Трехфазная мостовая схема выпрямления имеет коэффициент пульсации Кп=5,7%, поэтому этот выпрямитель не нуждается в фильтрующей емкости. Эта схема выпрямления применяется при больших мощностях нагрузки. Для ограничения тока заряда Iзmax до допустимого уровня тока перегрузки Iпер выпрямительных диодов в цепь заряда включают токоограничительный ре- зистор R0, сопротивление которого определяют из соотношения: U cm max R = , (3.6) 0 I пер где Ucm. max – максимальное значение амплитуды сетевого напряжения, значение Iпер выбирается из справочника Iпер = Iпр.имп Введение R0 снижает КПД выпрямителя, что не позволяет применять его в источниках средней и большой мощности. Вводить резистор в ИИВЭ целесообразно лишь при выходной мощности до 50 Вт. Одним из путей повышения КПД СВ является шунтирование R0 c по- мощью тиристора или транзистора. Когда U0 достигнет максимума, резистор R0 шунтируется малым сопротивлением указанных полупроводниковых приборов. На рис. 3.2 показана схема устройств плавного включения. Основные параметры для выбора вентилей находятся из следующих вы- ражений. Среднее значение тока через вентиль и величина обратного напряжения на неработающие вентили: трехфазная мостовая схема – I I амз = 0 , U = U c 2 ⋅ 3; (3.7) 3 обртз 11
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 9
- 10
- 11
- 12
- 13
- …
- следующая ›
- последняя »