ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
19
,
max
1
min2
'
2
'
c
U
U
ном
U
δ−
= (3.28)
),
max
1
(
2
'
max
2
'
c
U
ном
U
U
δ
+
⋅
=
(3.29)
.
max
2
'
min
U
н
U
=γ (3.30)
Для полумостовой схемы напряжение
.
2
0
1
U
U
=
(3.31)
Для мостовой –
U
1
=U
0
.
(3.32)
Ток коллектора I
к max
и максимальное значение U
кэ max
, по которым выби-
раются транзисторы для полумостовой схемы:
,
1
22
max
k
U
I
U
k
I
η
=
,
max
0
max
U
кэ
U
=
(3.33)
где
η
к
=(0,9-0,98) – КПД ТДК.
После определения параметров транзисторов производится выбор соот-
ветствующих транзисторов из справочника.
Значения базовых токов управления силовых транзисторов рассчитыва-
ются следующим образом:
,
min
21
max
)4,3,2(1
э
n
q
k
I
б
I
⋅
= (3.34)
где q=(1,3-2) – коэффициент насыщения транзистора.
U' U' =2 min , (3.28) 2ном 1 − δU c max U' =U' ⋅(1 + δU c max ), (3.29) 2 max 2ном Uн γ = . (3.30) min U' 2 max Для полумостовой схемы напряжение U = U 2. (3.31) 1 0 Для мостовой – U1=U0. (3.32) Ток коллектора Iк max и максимальное значение Uкэ max , по которым выби- раются транзисторы для полумостовой схемы: U I I = 2 2, U кэmax = U , (3.33) k max Uη 0 max 1 k где ηк=(0,9-0,98) – КПД ТДК. После определения параметров транзисторов производится выбор соот- ветствующих транзисторов из справочника. Значения базовых токов управления силовых транзисторов рассчитыва- ются следующим образом: I ⋅q I = k max , (3.34) б1(2,3,4) n 21э min где q=(1,3-2) – коэффициент насыщения транзистора. 19
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 17
- 18
- 19
- 20
- 21
- …
- следующая ›
- последняя »