Медицинские приборы, аппараты, системы и комплексы. Часть 1. Технические методы и аппараты для экспресс-диагностики. Бердников А.В - 28 стр.

UptoLike

28
Отклонение полного коэффициента отражения от единицы свидетельст-
вует о некорректности модели.
Коэффициент отражения в зеркальном направлении выражен формулой,
определяемой теорией X. Дэвиса:
2
)
4
(
0
λ
πσ
ρρ
= e
s
, (1.27)
где
s
ρ
коэффициент зеркального отражения исследуемой шероховатой по-
верхности;
0
ρ
такой же коэффициент гладкой поверхности образца из того
же материала; σсреднеквадратическое отклонение от средней линии про-
филя; λдлина волны падающего излучения.
Для модели X. Дэвиса единица получается только в области очень малых
шероховатостей (
04,0/
λ
σ
). При больших значениях
λ
σ
/ коэффициент от-
ражения превышает единицу и тем значительнее, чем больше отношение па-
раметров. Отсюда следует, что модель X. Дэвиса применима только к по-
верхностям, у которых размер шероховатостей весьма мал и рассеяние света
незначительно. Иначе говоря, расчет по способу X. Дэвиса можно произво-
дить только для достаточно гладких поверхностей.
1.4. Обобщенная
структурная схема фотометрического
измерительного устройства
Оптические ИП основаны на использовании оптоэлектронных преобра-
зователей и характеризуются большим разнообразием конструктивных и
схемотехнических решений.
Рис. 1.5. Обобщенная структурная схема фотометрического измерительного
преобразователя: ИИисточник излучения; ФИфоновое излуче-
ние; ОС
1
оптическая система введения излучения в измеритель-
ный канал; ОС
2
оптическая система введения излучения в канал
ОЭП; ОЭПоптоэлетронный преобразователь (приемник излуче-
ния и электронная схема его включения; ИК - измерительная кюве-
та.
В общем случае оптические ИП можно представить как показано на рис.
2. Они включают ИИ, оптическую систему ОС
1
, позволяющую собрать лу-
    Отклонение полного коэффициента отражения от единицы свидетельст-
вует о некорректности модели.
    Коэффициент отражения в зеркальном направлении выражен формулой,
определяемой теорией X. Дэвиса:
                                                4πσ
                                           −(         )2
                              ρ s = ρ 0e         λ
                                                           ,          (1.27)
где ρ s —коэффициент зеркального отражения исследуемой шероховатой по-
верхности; ρ 0 —такой же коэффициент гладкой поверхности образца из того
же материала; σ—среднеквадратическое отклонение от средней линии про-
филя; λ — длина волны падающего излучения.
    Для модели X. Дэвиса единица получается только в области очень малых
шероховатостей ( σ / λ ≤ 0,04 ). При больших значениях σ / λ коэффициент от-
ражения превышает единицу и тем значительнее, чем больше отношение па-
раметров. Отсюда следует, что модель X. Дэвиса применима только к по-
верхностям, у которых размер шероховатостей весьма мал и рассеяние света
незначительно. Иначе говоря, расчет по способу X. Дэвиса можно произво-
дить только для достаточно гладких поверхностей.


           1.4. Обобщенная структурная схема фотометрического
                      измерительного устройства

     Оптические ИП основаны на использовании оптоэлектронных преобра-
зователей и характеризуются большим разнообразием конструктивных и
схемотехнических решений.




Рис. 1.5. Обобщенная структурная схема фотометрического измерительного
          преобразователя: ИИ – источник излучения; ФИ – фоновое излуче-
          ние; ОС1 – оптическая система введения излучения в измеритель-
          ный канал; ОС2 – оптическая система введения излучения в канал
          ОЭП; ОЭП – оптоэлетронный преобразователь (приемник излуче-
          ния и электронная схема его включения; ИК - измерительная кюве-
          та.

    В общем случае оптические ИП можно представить как показано на рис.
2. Они включают ИИ, оптическую систему ОС1, позволяющую собрать лу-
                                                                          28