Составители:
Рубрика:
28
Отклонение полного коэффициента отражения от единицы свидетельст-
вует о некорректности модели.
Коэффициент отражения в зеркальном направлении выражен формулой,
определяемой теорией X. Дэвиса:
2
)
4
(
0
λ
πσ
ρρ
−
= e
s
, (1.27)
где
s
ρ
—коэффициент зеркального отражения исследуемой шероховатой по-
верхности;
0
ρ
—такой же коэффициент гладкой поверхности образца из того
же материала; σ—среднеквадратическое отклонение от средней линии про-
филя; λ — длина волны падающего излучения.
Для модели X. Дэвиса единица получается только в области очень малых
шероховатостей (
04,0/ ≤
λ
σ
). При больших значениях
λ
σ
/ коэффициент от-
ражения превышает единицу и тем значительнее, чем больше отношение па-
раметров. Отсюда следует, что модель X. Дэвиса применима только к по-
верхностям, у которых размер шероховатостей весьма мал и рассеяние света
незначительно. Иначе говоря, расчет по способу X. Дэвиса можно произво-
дить только для достаточно гладких поверхностей.
1.4. Обобщенная
структурная схема фотометрического
измерительного устройства
Оптические ИП основаны на использовании оптоэлектронных преобра-
зователей и характеризуются большим разнообразием конструктивных и
схемотехнических решений.
Рис. 1.5. Обобщенная структурная схема фотометрического измерительного
преобразователя: ИИ – источник излучения; ФИ – фоновое излуче-
ние; ОС
1
– оптическая система введения излучения в измеритель-
ный канал; ОС
2
– оптическая система введения излучения в канал
ОЭП; ОЭП – оптоэлетронный преобразователь (приемник излуче-
ния и электронная схема его включения; ИК - измерительная кюве-
та.
В общем случае оптические ИП можно представить как показано на рис.
2. Они включают ИИ, оптическую систему ОС
1
, позволяющую собрать лу-
Отклонение полного коэффициента отражения от единицы свидетельст-
вует о некорректности модели.
Коэффициент отражения в зеркальном направлении выражен формулой,
определяемой теорией X. Дэвиса:
4πσ
−( )2
ρ s = ρ 0e λ
, (1.27)
где ρ s —коэффициент зеркального отражения исследуемой шероховатой по-
верхности; ρ 0 —такой же коэффициент гладкой поверхности образца из того
же материала; σ—среднеквадратическое отклонение от средней линии про-
филя; λ — длина волны падающего излучения.
Для модели X. Дэвиса единица получается только в области очень малых
шероховатостей ( σ / λ ≤ 0,04 ). При больших значениях σ / λ коэффициент от-
ражения превышает единицу и тем значительнее, чем больше отношение па-
раметров. Отсюда следует, что модель X. Дэвиса применима только к по-
верхностям, у которых размер шероховатостей весьма мал и рассеяние света
незначительно. Иначе говоря, расчет по способу X. Дэвиса можно произво-
дить только для достаточно гладких поверхностей.
1.4. Обобщенная структурная схема фотометрического
измерительного устройства
Оптические ИП основаны на использовании оптоэлектронных преобра-
зователей и характеризуются большим разнообразием конструктивных и
схемотехнических решений.
Рис. 1.5. Обобщенная структурная схема фотометрического измерительного
преобразователя: ИИ – источник излучения; ФИ – фоновое излуче-
ние; ОС1 – оптическая система введения излучения в измеритель-
ный канал; ОС2 – оптическая система введения излучения в канал
ОЭП; ОЭП – оптоэлетронный преобразователь (приемник излуче-
ния и электронная схема его включения; ИК - измерительная кюве-
та.
В общем случае оптические ИП можно представить как показано на рис.
2. Они включают ИИ, оптическую систему ОС1, позволяющую собрать лу-
28
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 26
- 27
- 28
- 29
- 30
- …
- следующая ›
- последняя »
